[发明专利]用于微电子装置中接合的合金2N铜线

权利要求书

1.一种用于微电子学中接合的合金2N铜线，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性合金材料，其中所述耐腐蚀性合金材料的浓度在约0.009wt%与约0.99wt%之间。

2.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Ag。

3.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Ni。

4.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含在约0.009wt%与约0.129wt%之间的Pd。

5.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Au。

6.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Pt。

7.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Cr。

8.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含约0.005wt%到约0.07wt%的Ag和约0.009wt%到约0.89wt%的Ni。

9.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含约0.005wt%到约0.07wt%的Ag和约0.009wt%到约0.89wt%的Pd。

10.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含约0.005wt%到约0.07wt%的Ag和约0.009wt%到约0.89wt%的Au。

11.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含约0.005wt%到约0.07wt%的Ag和约0.009wt%到约0.89wt%的Pt。

12.根据权利要求1所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料包含约0.005wt%到约0.07wt%的Ag和约0.009wt%到约0.89wt%的Cr。

13.根据权利要求8或9所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料进一步包含约0.008wt%的P。

14.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的合金2N铜线，其进一步包含约0.0003wt%的S。

15.根据权利要求13所述的合金2N铜线，其进一步包含约0.0003wt%的S。

16.一种用于微电子学中接合的合金2N铜线，其由以下组成：

2N铜线；

Ag、Ni、Pd、Au、Pt、Cr和P的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性合金材料，其中所述耐腐蚀性合金材料的浓度在约0.009wt%与约0.99wt%之间；和

可存在或可不存在的另一组分，所述另一组分为S。

17.根据权利要求16所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料是在约0.009wt%到约0.99wt%之间的Ag。

18.根据权利要求16所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料是在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Ni。

19.根据权利要求16所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料是在约0.009wt%与约0.129wt%之间的Pd。

20.根据权利要求16所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料是在约0.009

wt%与约0.99wt%之间的Au。

21.根据权利要求16所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料是在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Pt。

22.根据权利要求16所述的合金2N铜线，其中所述耐腐蚀性合金材料是在约0.009wt%与约0.99wt%之间的Cr。