[发明专利]一种制备像素化的闪烁材料膜的方法

权利要求书

1.一种制备像素化的闪烁材料膜的方法，所述方法包括以下步骤：将掩模版叠加到基板上，所述掩模版中包括多个贯穿该掩模版的开口；通过所述掩模版的开口在所述基板上沉积闪烁材料，从而在所述基板上形成多个分隔开的所述闪烁材料的像素单元。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积闪烁材料的步骤是通过选自以下的方式完成的：物理气相沉积、化学气相沉积。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积闪烁材料的步骤是通过选自以下的方式完成的：蒸发镀覆、溅射镀覆、电弧镀覆、离子镀覆。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口的形状为正方形、长方形、菱形或圆形，开口尺寸为10-200微米，所述开口之间的间距为10-100微米，所述掩模版与所述基板之间的距离h为10-1000微米，优选为100-500微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁材料选自：CsI:Tl、Gd₂O₂S:Tb和Lu₂SiO₅:Ce。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板选自以下材料：硅板、石英玻璃板、光纤板。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：在所述沉积闪烁材料的过程中，在200-400℃的温度下进行真空退火处理；以及/或者在所述沉积闪烁材料的过程结束之后，在200-400℃的温度下进行真空退火处理；所述沉积过程中和沉积结束之后的退火处理都在氩气气氛下进行。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述沉积闪烁材料的操作通过离子束溅射法，在以下条件下进行：温度为常温，压力为1×10^-5帕至2×10^-7帕，使用Ar^＋离子束对靶材进行溅射。

9.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述沉积闪烁材料的操作通过电阻蒸发法，在以下条件下进行：温度为100-200℃，压力为1×10^-2帕至5×10^-4帕。

10.一种包括像素化的闪烁材料膜的组件，该组件通过以上权利要求1-9中任一项所述的方法制得，所述组件包括基板和位于所述基板至少一个面之上的像素化的闪烁材料膜，所述闪烁材料膜由多个相互分离的闪烁材料像素单元组成，各个像素单元的尺寸为10-200微米，各个像素单元之间的间距为10-100微米。