[发明专利]基片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201210509752.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103854992A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/00;C23F1/12;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
向反应腔室内输入由氯气和氯化物气体混合的刻蚀气体；
向反应腔室施加激励功率，以使所述刻蚀气体形成等离子体；
向待处理基片施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀待处理基片。
2.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述氯化物气体包括氯化硼或氯化硅。
3.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在向反应腔室内输入由氯气和氯化物气体混合的刻蚀气体的步骤中，
在输入所述刻蚀气体的同时，向反应腔室内输入氩气。
4.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述激励功率的范围在300～500W，且所述偏压功率的范围在100～200W。
5.如权利要求4所述的基片刻蚀方法，其特征在于，按预定比例施加所述激励功率和偏压功率，且所述预定比例的范围在4∶1～5∶1。
6.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述反应腔室的腔室压力的范围在2～4mT。
7.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述氯气的气体流量范围在90～120sccm，且所述氯化硼的气体流量范围在5～15sccm。
8.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法用于进行GaN刻蚀。
9.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，工艺时间为20-30min。
10.如权利要求4-9任意一项权利要求所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述激励功率为400W，所述偏压功率为120W，腔室压力为3mT，所述氯气的气体流量为110sccm，所述氯化硼的气体流量为10sccm，工艺时间为29min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
