[发明专利]电子系统、射频功率放大器及其温度补偿方法有效

专利信息
申请号: 201210509552.6 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN103856172A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 丁兆明;李威弦;邱文斗 申请(专利权)人: 环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;H03F3/189;H03F1/30
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 赵根喜;吕俊清
地址: 201203 上海市张江高*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电子 系统 射频 功率放大器 及其 温度 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器包括:

加法电路,具有第一比值与第二比值,所述加法电路接收参考电压与反馈电压并予以运算后输出加法电压,其中所述反馈电压为负温度系数的电压,所述参考电压为具有正温度系数的第一电压与具负温度系数的第二电压的总合,并且所述加法电压为所述参考电压乘以所述第一比值与所述反馈电压乘以所述第二比值的总合;

输出级电路,耦接所述加法电路,所述输出级电路用以提供所述反馈电压;以及

差动电路,电性连接所述加法电路,所述差动电路具有第一乘数因子,用以将所接收的所述加法电压乘以所述第一乘数因子后提供输出电压至所述输出级电路,

其中当所述参考电压为零温度系数的电压,则输入电流为零温度系数的电流,或者,当所述参考电压为正温度系数的电压且所述输出级电路的所述输入电流与输出电流间的比值常数为具负温度系数的特性,则所述输出电流为零温度系数的电流。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一比值等于所述第二比值,并且所述第一乘数因子为所述第一比值或所述第二比值的倒数。

3.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器更包括:

参考电压产生电路,电性连接所述加法电路,所述参考电压产生电路用以提供所述参考电压至所述加法电路。

4.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述差动电路包括:

放大器,具有正输入端与负输入端,所述正输入端耦接所述加法电路以接收所述加法电压,其中所述放大器的输出端提供所述输出电压至所述输出级电路;

第一电阻,其一端耦接接地电压,其另一端耦接所述负输入端;以及

第二电阻,其一端耦接所述负输入端,其另一端耦接所述放大器的输出端,

其中所述第一乘数因子等于所述第二电阻的电阻值除以所述第一电阻的电阻值。

5.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述加法电路包括:

第三电阻,其一端接收所述参考电压;以及

第四电阻,其一端耦接所述第三电阻,其另一端接收所述反馈电压,

其中所述第一比值为所述第四电阻的电阻值除以总电阻值,且所述第二比值为所述第三电阻的电阻值除以所述总电阻值,其中所述总电阻值为所述第三电阻的电阻值与所述第四电阻的电阻值的总合。

6.如权利要求3所述的射频功率放大器,其特征在于,所述参考电压产生电路包括:

第一晶体管,其射极耦接接地电压;

第二晶体管,其基极耦接所述第一晶体管的基极;

第五电阻,其一端耦接第一节点,其另一端耦接所述第一晶体管的集极与基极,其中所述第一节点输出所述参考电压至所述加法电路;

第六电阻,其一端耦接所述第一节点,其另一端耦接所述第二晶体管的集极;

第七电阻,其一端耦接所述第二晶体管的射极,其另一端耦接所述接地电压,所述第七电阻用以产生具正温度系数的基射极压差电流,其中通过调整所述第六电阻或所述第七电阻的电阻值,以调整所述参考电压的温度系数;

第三晶体管,其基极耦接所述第六电阻的另一端,其集极耦接所述第一节点,其射极耦接所述接地电压,其中所述第三晶体管的基射极电压为所述第二电压;以及

电流源,其一端耦接系统电压,其另一端耦接所述第一节点,其电流为自所述系统电压流向所述第一节点,

其中所述基射极压差电流乘以所述第六电阻为所述第一电压。

7.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述输出级电路包括:

第四晶体管,其集极耦接系统电压,其射极耦接接地电压,其基极耦接所述输出电压,

其中所述第四晶体管的输出电流与所述第四晶体管的输入电流之间的比值常数为具负温度系数的电流增益,并且所述第四晶体管的基射极电压为所述反馈电压。

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