[发明专利]以离子注入强化玻璃的方法无效

专利信息
申请号: 201210509476.9 申请日: 2012-12-03
公开(公告)号: CN103848577A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 何志洵;许进益;南进进 申请(专利权)人: 联建(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司
主分类号: C03C21/00 分类号: C03C21/00
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 215021 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 离子 注入 强化 玻璃 方法
【说明书】:

技术领域

发明是涉及一种强化玻璃的方法,特别涉及一种以离子注入来强化玻璃的方法。

背景技术

玻璃材料由于具有透光性高的特性,目前已广泛的应用在日常生活的用品中。对于玻璃材料应用的商品有较高的强度需求时,可通过许多种不同的方式对玻璃形成强化的效果。其中,依据玻璃强化方式的原理大体上可区分为物理强化方式与化学强化方式这两大类。对于目前显示器以及触控板领域较常会使用的薄型玻璃来说,主要是使用化学强化的方式将玻璃浸泡在高温的硝酸盐溶液中进行金属离子交换,进而形成玻璃表面的压缩应力来达到强化的效果。然而,上述的化学强化方式较不易对特定的局部区域进行强化且也有导致玻璃穿透率下降等问题。因此,目前相关领域也有发展出以离子注入的方式来进行玻璃强化。请参考图1,图1所示为传统的以离子注入强化玻璃的方法的示意图。如图1所示,传统的方式是利用一离子注入装置100,其包括一正离子源110以及一加速器120。正离子源110是用以将气体分子分解产生正离子110P例如正氢离子(H+),并通过加速器120注入一放置在处理室130的玻璃基底140中,用以形成压缩应力来达到强化玻璃基底140的效果。通过控制正离子110P的注入状况即可达到局部强化的目的。然而,在上述的方式中,进行离子注入时大量的正离子110P所带的正电荷会在玻璃基底140的表面累积而产生排斥效应,使得后续的正离子110P无法顺利地被注入而影响到整体的离子注入效果。此外,大量的电荷累积也有导致静电破坏等问题产生。因此,必须在玻璃基底140的表面上先形成一层导电膜150并将其接地来将电荷带走用以避免上述的电荷累积状况发生,但也因此造成此玻璃强化方式的成本提高。

发明内容

本发明的目的在提供一种以离子注入强化玻璃的方法。利用将正离子与负离子一起注入玻璃基底中用以强化玻璃基底,并改善以同极性离子注入时造成的排斥效应与静电破坏等问题。

本发明提供一种以离子注入强化玻璃的方法,包括下列步骤。首先,提供一离子注入装置。离子注入装置产生多个正离子与多个负离子。然后,利用离子注入装置将正离子与负离子注入一玻璃基底中用以强化玻璃基底。

附图说明

图1所示为传统的以离子注入强化玻璃的方法的示意图。

图2所示为本发明的一优选实施例的以离子注入强化玻璃的方法的示意图。图3所示为本发明的又一优选实施例的以离子注入强化玻璃的方法的示意

图。

其中,附图标记说明如下:

100     离子注入装置    110     离子源

110P    正离子          120     加速器

130     处理室          140     玻璃基底

150     导电膜          200     离子注入装置

211     离子源          211P    离子

212     负离子源        212N    负离子

220     注入组件        230     处理室

240     玻璃基底        240A    表面

240B    边缘

具体实施方式

为使熟习本发明所属技术领域的技术人员者能进一步了解本发明,下文特列举本发明的数个优选实施例,并配合所附附图,详细说明本发明的构成内容。

请参考图2。图2所示为本发明的一优选实施例的以离子注入强化玻璃的方法的示意图。为了方便说明,本发明的各附图仅为示意用以容易了解本发明,其详细的比例可依照设计的需求进行调整。如图2所示,本实施例提供一种以离子注入强化玻璃的方法,此方法包括下列步骤。首先,提供一离子注入装置200。离子注入装置200是用以产生多个正离子211P与多个负离子212N。然后,利用离子注入装置200将正离子211P与负离子212N注入一放置在处理室230的玻璃基底240中,用以强化玻璃基底240。由于注入玻璃基底240的正离子211P与负离子212N的极性与电荷不相同,故可达到互相补偿而避免因为同一极性离子电荷累积而造成的排斥效应与静电破坏等问题。此外,由于不需在玻璃基底240上先形成导电膜用以将累积的电荷移除,故本实施例的以离子注入强化玻璃的方法可具有降低作业成本的效果。

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