[发明专利]改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法

权利要求书

1.一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法，其特征在于，在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中，利用循环净化进行处理，同时通入氮气和笑气，从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的二氯二氢硅与笑气进行反应，使其转化成为氧化层，最终再通过排气管排出；所述的循环净化具体包括如下步骤：先将炉管的压力抽到底压，然后同时通入氮气、笑气，维持一定时间后，接着再抽到底压，然后再同时通入氮气和笑气，维持一定时间后，再抽到底压，由此进行循环。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述循环净化的循环次数为两次以上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮气的流量范围为500sccm～10slm，所述笑气的流量范围为50sccm～1slm，温度随工艺降温步骤相同。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抽底压的持续时间为5s～10min，氮气、笑气通入的持续时间为10s～10min。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将炉管的压力抽到底压，该底压的压力范围为0～5mtorr；在同时通入氮气、笑气时的压力范围为500mtorr～500torr。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氯二氢硅与笑气进行反应的反应方程式如下所示：

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法适用于富硅成膜的相关高温氧化层，氮氧化硅，以及含有富硅膜的氧化硅-氮化硅-氧化硅工艺；或者所述方法适用于高温多晶硅工艺和氮化硅工艺。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述方法应用于富硅成膜的相关高温氧化层，氮氧化硅，或含有富硅膜的氧化硅-氮化硅-氧化硅工艺时，在硅片完成沉积后，不传出硅片的情况下，利用循环净化进行处理。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述方法应用于高温多晶硅工艺或氮化硅工艺时，在硅片完成沉积后，需要从炉管中传出硅片，以进行循环净化处理。