[发明专利]薄膜太阳能电池组件的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上制备钼薄膜；

对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极，退火温度为400°C~580°C，退火时间为5~15分钟；及

在所述钼背电极上依次制备光吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜，形成所述薄膜太阳能电池组件。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，制备钼薄膜的方法为磁控溅射法，工作气流为氩气，溅射功率为350~1000W。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述钼薄膜的厚度为0.5~1μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，制备钼薄膜时，先在0.3Pa，350W的条件下生长一层第一钼层，接着在其之上，采用0.05Pa，500W的条件下生长一层第二钼层。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，退火时，从室温开始在10分钟内升温至400°C~580°C。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，制备光吸收层的方法为共蒸发法或磁控溅射法。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述光吸收层为铜铟镓硒吸收层或铜铟硒吸收层。