[发明专利]一种NiZnCu铁氧体材料及其制作的叠层片式电子元件

说明书

技术领域

本发明涉及磁性材料，特别涉及一种NiZnCu铁氧体材料及其制作的叠层片式电子元件。

背景技术

近年来，随着电子元器件的广泛应用，在注重元件性能的同时，也关注元件的外观和可靠性。普通电子元件往往需要电镀，形成一焊接部，以保证端子部位与线路板的连接，但在酸性或碱性的镀液化学氛围中，元件磁体主体部分容易引起爬镀。在已知技术解决方案中，专利文献（公开号CN101145419）提供了一种铁氧体披覆玻璃材质的方法。但这种技术具有明显缺陷，在以下三种情况下将失效：一是对于涂布玻璃剂要求严格，倘若玻璃未能均匀全覆盖住磁体，将导致磁体电镀时仍有可能出现镀层扩散即爬镀显现；二是对于涂布玻璃剂，倘若玻璃未能进入磁体，将导致元件端头残留大量玻璃，导致端子电极不能与磁体有效接触，从而使得元件失效；三是当磁体内部含有连接电极时，这种表面处理的技术方案极有可能将电极封闭在磁体内部，导致内部电极不能与外部端子有效导通，从而使得元件失效；四是此种技术采用工艺成本较高。目前技术解决方案中还未有相关铁氧体材料配方改进措施。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种NiZnCu铁氧体材料，对材料电镀爬镀有明显改善，并且不影响端子电极与磁体或与其内部电极的有效连接。

本发明要解决的另一个技术问题是提供一种由上述NiZnCu铁氧体材料制作的叠层片式电子元件，此叠层片式电子元件具有较强的抗爬镀能力。

为了解决上述技术问题，本发明通过如下技术方案实现:

本发明提供了一种NiZnCu铁氧体材料，包括主成分、助烧剂和添加剂，

所述主成分及其mol百分比包括如下：

Fe₂O₃：41.5-49.5mol%

ZnO：12.5-30.5mol%

CuO：4-12mol%

余量为NiO；

所述助烧剂占主成分1-3wt%，为Bi₂O₃、ZnO、B₂O₃中的至少一种；所述添加剂占主成分0.3-3.5wt%，为Co₃O₄、MnCO₃、Al₂O₃、CuO、SiO₂中的至少一种。

所述主成分中：

Fe₂O₃的mol百分比优选为46mol%，

ZnO的mol百分比优选为27mol%，

CuO的mol百分比优选为9mol%，

NiO的mol百分比优选为18mol%。

所述助烧剂优选为占主成分2wt%的Bi₂O₃。

所述添加剂优选为占主成分0.5wt%的添加剂Co₃O₄。

本发明还提供了一种叠层片式电子元件，包括线圈导体和磁性本体，所述磁性本体由铁氧体材料的烧结体制作，所用的铁氧体材料包括主成分、助烧剂和添加剂，

所述主成分，其mol百分比包括如下：

Fe₂O₃：41.5-49.5mol%

ZnO：12.5-30.5mol%

CuO：4-12mol%

余量为NiO；

所述助烧剂占主成分1-3wt%，为Bi₂O₃、ZnO、B₂O₃中的至少一种；

所述添加剂占主成分0.3-3.5wt%，为Co₃O₄、MnCO₃、Al₂O₃、CuO、SiO₂中的至少一种。

所述主成分中：

Fe₂O₃的mol百分比优选为46mol%，

ZnO的mol百分比优选为27mol%，

CuO的mol百分比优选为9mol%，

NiO的mol百分比优选为18mol%。

所述助烧剂优选为占主成分2wt%的Bi₂O₃。