[发明专利]显影装置、成像装置和处理盒有效
申请号: | 201210507124.X | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103135411A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 中川秀一 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | G03G15/08 | 分类号: | G03G15/08;G03G21/18;G03G15/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显影 装置 成像 处理 | ||
1.显影装置,包括:
显影剂承载元件,其携带单组分显影剂;
电荷给予元件,其与所述显影剂承载元件接触地放置,并且对所述显影剂承载元件上的所述单组分显影剂充电;以及
偏压供应元件,其对所述电荷给予元件供应偏压,
其中所述单组分显影剂具有8.0logΩ·cm至10.9logΩ·cm的体积电阻率,并且
其中所述显影装置满足下式:
(K-1)0.75/v0.25<0.7×RT-6.6
其中:
v[m/sec]是在与所述显影剂承载元件相同的方向上移动的表面处接触所述显影剂承载元件的潜像承载元件的表面移动速度;
v’[m/sec]是所述显影剂承载元件的表面移动速度;
K是所述显影剂承载元件的表面移动速度和所述潜像承载元件的表面移动速度的比v’/v;并且
RT[logΩ·cm]是所述单组分显影剂的体积电阻率。
2.根据权利要求1所述的显影装置,其中所述单组分显影剂的体积电阻率是10.1logΩ·cm至10.9logΩ·cm。
3.根据权利要求1所述的显影装置,其中所述潜像承载元件的表面移动速度v是0.1m/sec至0.15m/sec。
4.根据权利要求1所述的显影装置,其中所述显影剂承载元件具有0.2μm至2.0μm的表面粗糙度Ra。
5.根据权利要求1所述的显影装置,其中所述电荷给予元件是层调节元件,并且其中所述层调节元件包括金属弹簧材料。
6.根据权利要求5所述的显影装置,其中所述层调节元件的自由端具有10N/m至80N/m的压紧力。
7.处理盒,包括:
潜像承载元件;以及
显影装置,其携带单组分显影剂至面向所述潜像承载元件的显影区,并将所述单组分显影剂粘附到所述潜像承载元件上的潜像,用于显影,
其中所述处理盒整体地支撑所述潜像承载元件和所述显影装置,
其中所述显影装置包括:
显影剂承载元件,其携带所述单组分显影剂;
电荷给予元件,其与所述显影剂承载元件接触地放置,并且对所述显影剂承载元件上的所述单组分显影剂充电;以及
偏压供应元件,其对所述电荷给予元件供应偏压,
其中所述单组分显影剂具有8.0logΩ·cm至10.9logΩ·cm的体积电阻率,并且
其中所述显影装置满足下式:
(K-1)0.75/v0.25<0.7×RT-6.6
其中:
v[m/sec]是在与所述显影剂承载元件相同的方向上移动的表面处接触所述显影剂承载元件的所述潜像承载元件的表面移动速度;
v’[m/sec]是所述显影剂承载元件的表面移动速度;
K是所述显影剂承载元件的表面移动速度和所述潜像承载元件的表面移动速度的比v’/v;并且
RT[logΩ·cm]是所述单组分显影剂的体积电阻率。
8.根据权利要求7所述的处理盒,其中所述潜像承载元件在其表面上具有介电层,并且所述介电层具有25μm或更小的厚度。
9.成像装置,其包括处理盒和定影单元,
其中所述处理盒包括:
潜像承载元件;以及
显影装置,其携带单组分显影剂至面向所述潜像承载元件的显影区,并将所述单组分显影剂粘附到所述潜像承载元件上的潜像,用于显影,
其中所述处理盒整体地支撑所述潜像承载元件和所述显影装置,
其中所述定影单元将转印到记录介质上的转印图像定影,
其中所述显影装置包括:
显影剂承载元件,其携带所述单组分显影剂;
电荷给予元件,其与所述显影剂承载元件接触地放置,并且对所述显影剂承载元件上的所述单组分显影剂充电;以及
偏压供应元件,其对所述电荷给予元件供应偏压,
其中所述单组分显影剂具有8.0logΩ·cm至10.9logΩ·cm的体积电阻率,并且
其中所述显影装置满足下式:
(K-1)0.75/v0.25<0.7×RT-6.6
其中:
v[m/sec]是在与所述显影剂承载元件相同的方向上移动的表面处接触所述显影剂承载元件的所述潜像承载元件的表面移动速度;
v’[m/sec]是所述显影剂承载元件的表面移动速度;
K是所述显影剂承载元件的表面移动速度和所述潜像承载元件的表面移动速度的比v’/v;并且
RT[logΩ·cm]是所述单组分显影剂的体积电阻率。
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