[发明专利]OLED照明面板及制备方法以及一种OLED照明器件

权利要求书

1.一种OLED照明面板，包括基板、设置于所述基板上的ITO阳极层、通过电镀方法设置在ITO阳极层上的辅助电极层，其特征在于,所述辅助电极层上还设置有透明绝缘层。

2.根据权利要求1所述的OLED照明面板，其特征在于,所述透明绝缘层为透明光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的OLED照明面板，其特征在于,所述透明光刻胶层透光度为75%-99%。

4.根据权利要求1-3任一所述的OLED照明面板，其特征在于,所述透明绝缘层的厚度为0.5um-1.5um。

5.根据权利要求1-4任一所述的OLED照明面板，其特征在于,所述辅助电极层的厚度为200nm-400nm。

6.根据权利要求1-5任一所述的OLED照明面板，其特征在于,所述辅助电极层的线条宽度为10um-100um。

7.根据权利要求5或6所述的OLED照明面板，其特征在于,所述辅助电极层的图案为条状和/或方格状和/或蜂窝状。

8.根据权利要求1-7任一所述的OLED照明面板，其特征在于,所述辅助电极层为金、银、铬、钼、铝或铜层中的任意一种。

9.根据权利要求8所述的OLED照明面板，其特征在于,所述辅助电极层为铜层。

10.一种权利要求1-9任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：

S1、在经过清洗、烘干的基板上，采用溅射的方法制备ITO阳极层，并刻蚀出阳极图案；

S2、在ITO阳极层上采用电镀工艺制备辅助电极层；

S3、通过狭缝涂布或者旋转涂布的方法在所述辅助电极层上设置一层透明绝缘材料；

S4、刻蚀掉覆盖在所述辅助电极层之外的透明绝缘材料，得到透明绝缘层。

11.根据权利要求10所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S2具体包括：

S01、在所述ITO阳极层上电镀整面辅助电极材料层；

S02、通过掩膜在所述辅助电极材料层上刻蚀辅助电极图案形成辅助电极层。

12.根据权利要求10所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S2具体包括：

S11、在所述ITO阳极层上制备与辅助电极图案一致的保护胶层；

S12、在保护胶层电镀出辅助电极层；

S13、除去保护胶层。

13.根据权利要求10-12任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S3中所述透明绝缘层为透明光刻胶层。

14.根据权利要求13所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S3中所述透明光刻胶层为透光度在75%-99%的透明光刻胶。

15.根据权利要求10或13或14任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S3中所述透明绝缘层的厚度为0.5um-1.5um。

16.根据权利要求10-15任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述辅助电极层的厚度为200nm-400nm。

17.根据权利要求10-16任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S2中所述辅助电极层的线条宽度为10um-100um。

18.根据权利要求10-17任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S2中所述辅助电极层的图案为方格状和/或条状和/或蜂窝状。

19.根据权利要求10-18任一所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S2中所述辅助电极层为金、银、铬、钼、铝或铜层中的任意一种。

20.根据权利要求19所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S2中所述辅助电极层为铜层。

21.根据权利要求10所述的OLED照明面板的制备方法，其特征在于,步骤S3中所述透明绝缘材料的涂布方法为狭缝涂布方法。