[发明专利]一种电子可编程熔丝电路

权利要求书

1.一种电子可编程熔丝电路，其特征在于，包括阵列单元和m个厚氧MOS管；其中：

所述阵列单元包括n×m个电路单元，所述电路单元包括熔丝单元和第一薄氧MOS管，所述熔丝单元的第一端与所述第一薄氧MOS管的漏极相连；

所述阵列单元中每一列电路单元中的熔丝单元的第二端连接第一电压发生端；每一列电路单元中的第一薄氧MOS管的源极与一个厚氧MOS管的漏极相连；所述阵列单元中每一行电路单元中的第一薄氧MOS管的栅极连接一个第一电平发射端；

所述m个厚氧MOS管的源极均接地，每一个厚氧MOS管的栅极连接一个第二电平发射端；其中，n和m均为正整数。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一薄氧MOS管和所述厚氧MOS管均为N沟道MOS管。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阵列单元中每一列电路单元还包括参考电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管，其中：

所述参考电阻的第一端连接第二电压发生端；

每一列电路单元中的第一薄氧MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极相连；

所述参考电阻的第二端与所述第二MOS管的漏极相连；

所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极相连，所述第二MOS管的栅极连接第三电平发射端；

所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极相连，源极接地；

所述第四MOS管的源极接地；

所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的源极相连形成第一信号端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一薄氧MOS管与所述第二MOS管为N沟道MOS管。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第三MOS管与所述第四MOS管为N沟道MOS管。

6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，还包括m个放大器，所述阵列单元中每一列电路单元设置有一个放大器；所述放大器的第一端与所述第四MOS管的漏极相连，所述放大器的第二端与所述第一信号端相连；所述放大器包括第一反相器、第二反相器、第一传输门、第二传输门和第五MOS管，其中：

所述第一反相器的第一端与所述第二反相器的第一端均与电源电压相连；

所述第一反相器的第二端与所述第二反相器的第二端均与所述第五MOS管的漏极相连；

所述第五MOS管的栅极与第四电平发射端相连，所述第五MOS管的源极接地；

所述第一反相器的第三端与所述第二反相器的第四端相连，所述第二反相器的第三端与所述第一反相器的第四端相连；

所述第一传输门的输入端为所述放大器的第一端，输出端与所述第一反相器的第三端相连，第一控制端与第四电平发射端相连，第二控制端与第五电平发射端相连；

所述第二传输门的输入端为所述放大器的第二端，输出端与所述第二反相器的第三端相连，第一控制端与第四电平发射端相连，第二控制端与第五电平发射端相连。

7.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一反相器包括第六PMOS管和第七NMOS管，其中：

所述第六PMOS管的漏极为所述第一反相器的第一端，源极与所述第七NMOS管的漏极相连后为所述第一反相器的第三端，栅极与所述第七NMOS管的栅极相连后为所述第一反相器的第四端；所述第七NMOS管的源极为所述第一反相器的第二端；

所述第二反相器包括第六PMOS管和第七NMOS管，其中：

所述第六PMOS管的漏极为所述第二反相器的第一端，源极与所述第七NMOS管的漏极相连后为所述第二反相器的第三端，栅极与所述第七NMOS管的栅极相连后为所述第二反相器的第四端；所述第七NMOS管的源极为所述第二反相器的第二端。