[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极，而且在所述薄膜晶体管上方覆盖有钝化层；其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述钝化层包括至少一层无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为一层，包括第一钝化层；所述第一钝化层为无机绝缘层或有机绝缘层；

所述无机绝缘层包括二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜；

所述有机绝缘层包括树脂系绝缘膜或亚克力系绝缘膜。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一钝化层为无机绝缘层时，所述第一钝化层的厚度为50nm~500nm；

在所述第一钝化层为有机绝缘层时，所述第一钝化层的厚度为0.5μm~2.5μm。

4.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层为经过退火工艺处理的钝化层。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为两层，包括第一钝化层和第二钝化层；其中，所述第一钝化层贴近所述薄膜晶体管；

所述第一钝化层为第一无机绝缘层，该第一无机绝缘层包括氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、三氧化二钇薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜、氧化钕薄膜或氮氧化硅薄膜；

所述第二钝化层为第二无机绝缘层或第一有机绝缘层；所述第二无机绝缘层包括氮化硅薄膜、三氧化二钇薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜；所述第一有机绝缘层包括树脂系绝缘膜或亚克力系绝缘膜。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为50nm~600nm。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二钝化层为无机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为50nm~500nm；

在所述第二钝化层为有机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为0.5μm~2.5μm。

8.如权利要求5至7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层均为经过退火工艺处理的钝化层。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为三层，包括依次设置的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；其中，所述第一钝化层贴近所述薄膜晶体管；

所述第一钝化层为第一无机绝缘层；该第一无机绝缘层包括氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜；

所述第二钝化层为第二无机绝缘层或第一有机绝缘层；所述第二无机绝缘层包括氮氧化硅薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜或氮氧化钕薄膜；所述第一有机绝缘层包括树脂系绝缘薄膜或亚克力系绝缘薄膜；

所述第三钝化层为第三无机绝缘层或第二有机绝缘层；所述第三无机绝缘层包括氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜或氮化钽薄膜；所述第二有机绝缘层包括树脂系绝缘薄膜或亚克力系绝缘薄膜。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为50nm~600nm；

在所述第二钝化层为无机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为50nm~650nm；在所述第二钝化层为有机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为0.5μm~2.5μm；

在所述第三钝化层为无机绝缘层时，所述第三钝化层的厚度为50nm~500nm；在所述第三钝化层为有机绝缘层时，所述第三钝化层的厚度为0.5μm~2.5μm。