[发明专利]单面薄膜少胶云母带平包铜扁线及其制作方法

权利要求书

1.一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体（1）和包覆在所述铜扁导体（1）上的绝缘层（2），其特征在于：所述绝缘层（2）包括平包在所述铜扁导体（1）上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体（1）上无重叠地绕包一层。

2.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层。

3.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的厚度A-a为0.36±0.04 mm或0.54±0.06 mm或0.72±0.08 mm。

4.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为0 ~0.6mm。

5.根据权利要求4所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±1 mm,或d=e/3±1 mm，或d=0.4e±1 mm，其中，e 为云母带的宽度。

6.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述铜扁导体（1）纵截面的宽度a为1.00～5.60 mm，长度b为3.55～16.00 mm。

7.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述铜扁线可耐受的温度为180～220℃。

8.一种权利要求1-7中任一项所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线的制作方法，其特征在于：该制作方法包括根据设定的绕包角度和绕包张力，利用绕包机将单面薄膜少胶云母带平包在铜扁导体（1）上，形成平整且单层无重叠地包覆在所述铜扁导体（1）外侧的绝缘层（2）的步骤。

9.根据权利要求8所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线的制作方法，其特征在于：所述绝缘层（2）包括两层或三层或四层单面薄膜少胶云母带。

10.根据权利要求8所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线的制作方法，其特征在于：所述绝缘层（2）的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为0 ~0.6mm，所述绝缘层（2）的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±1 mm,或d=e/3±1 mm，或d=0.4e±1 mm，其中，e 为云母带的宽度。