[发明专利]倒置顶发射的有机电致发光装置及其制备方法有效
| 申请号: | 201210504828.1 | 申请日: | 2012-11-30 | 
| 公开(公告)号: | CN103855312A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 | 
| 发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 | 
| 地址: | 518052 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 置顶 发射 有机 电致发光 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种倒置顶发射的有机电致发光装置,包括依次层叠结合的衬底层、阴极层、有机功能层和阳极层,其特征在于:所述有机功能层包括电子传输层和在外加电源驱动下发光的发光层,所述电子传输层层叠结合在所述阴极层与发光层之间,所述电子传输层为若干掺杂剂层与电子传输基质材料层交替层叠后经渗透掺杂处理形成的掺杂层结构。
2.根据权利要求1所述的倒置顶发射的有机电致发光装置,其特征在于:所述掺杂剂层的厚度为0.5~5nm。
3.根据权利要求1所述的倒置顶发射的有机电致发光装置,其特征在于:所述电子传输基质材料层的厚度为5~20nm。
4.根据权利要求1~3任一项所述的倒置顶发射的有机电致发光装置,其特征在于:所述电子传输层的厚度为20~80nm。
5.根据权利要求1~3任一项所述的倒置顶发射的有机电致发光装置,其特征在于:所述掺杂剂层中的掺杂剂为碱金无机化合物。
6.根据权利要求5所述的倒置顶发射的有机电致发光装置,其特征在于:所述碱金无机化合物为碱金属氟化物、碱金属碳酸化合物、碱金属叠氮化合物、碱金属氮化物、碱金属碘化物中的至少一种。
7.根据权利要求1~3任一项所述的倒置顶发射的有机电致发光装置,其特征在于:所述电子传输基质材料层中的电子传输基质材料为(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种。
8.如权利要求1~7任一项所述的倒置顶发射的有机电致发光装置制备方法,包括制备所述电子传输层的步骤,所述电子传输层的制备方法包括如下步骤:
在所述阴极层的与衬底层相结合面相对的表面蒸镀碱金属无机化合物,形成第一掺杂剂层;
在所述第一层掺杂剂层外表面蒸镀有机电子传输基质材料,形成第一电子传输基质材料层;
在所述第一电子传输基质材料层外表面重复制备第一掺杂剂层和第一电子传输基质材料层的步骤,使得制备的若干掺杂剂层和电子传输基质材料层交替层叠结合,形成电子传输层前驱体;
在保护性气体环境中,将所述电子传输层前驱体在70~180℃下热处理10~30min,冷却,得到所述电子传输层。
9.如权利要求8所述的倒置顶发射的有机电致发光装置制备方法,其特征在于,所述电子传输基质材料的蒸镀速率为0.05~0.5nm/s,掺杂剂的蒸镀速率为0.01~0.2nm/s。
10.如权利要求8所述的倒置顶发射的有机电致发光装置制备方法,其特征在于,所述电子传输层前驱体的热处理温度是以5~20℃/min加热速率升温至70~180℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





