[发明专利]电场发射型X射线产生装置有效

专利信息
申请号: 201210501939.7 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN103137400B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 稻叶仁;鬼塚好弘;中村智宣;定塚淳生;小池高寿 申请(专利权)人: 高砂热学工业株式会社
主分类号: H01J35/16 分类号: H01J35/16;H01J35/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 吕琳,李浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电场 发射 射线 产生 装置
【权利要求书】:

1.一种电场发射型X射线产生装置,在接地的框体内经由绝缘构件支承玻璃管的一个端部,在该玻璃管内的该一个端部侧设置有发射电子的冷阴极元件,在该玻璃管的另一端部侧具有由从所述冷阴极元件发射的电子的照射而产生X射线的靶和将在所述靶产生的X射线发射到外部的窗部,其中,

所述玻璃管中的至少一个端部周缘表面被绝缘材料所覆盖。

2.根据权利要求1所述的电场发射型X射线产生装置,其中,

未被所述绝缘材料覆盖的所述玻璃管的表面以及所述绝缘材料的端部用导体进行被覆,该导体接地。

3.根据权利要求1所述的电场发射型X射线产生装置,其中,

所述绝缘材料的表面用导体进行被覆,该导体接地。

4.根据权利要求2所述的电场发射型X射线产生装置,其中,

所述绝缘材料的表面用导体进行被覆,该导体接地。

5.根据权利要求2、3或者4的任一项所述的电场发射型X射线产生装置,其中,

所述导体是由银浆、镍浆、金浆、钯浆、或者碳糊的任一种,或者它们的组合制成的导体膜。

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