[发明专利]一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法有效
| 申请号： | 201210501839.4 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103011056A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 何军;张大成;黄贤;赵丹淇;林琛;王玮;杨芳;田大宇;刘鹏;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 sog 工艺 微结构 强度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小热失配应力从而增强SOG工艺微结构键合强度的方法，其特征在于，采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多个锚点以m×n阵列形式排列。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述组合式锚点结构中各锚点的底面形状为下列中的一种或多种：正方形、长方形、圆形、椭圆形。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述阵列中m=n。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阵列为下列中的一种：2×2阵列、3×3阵列、4×4阵列、5×5阵列。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通过拉伸或者剪切断裂试验确定使所述组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为所述组合式锚点中锚点的数目。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，通过如下两个因素确定所述组合式锚点中锚点间的间隙尺寸：光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述间隙尺寸为所述光刻允许的最小间距。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在设计MEMS器件版图时，仅对锚点层的版图进行重新设计，其它层版图不变。
10.一种MEMS器件，其特征在于，采用权利要求1至8中任一项所述的组合式锚点结构。
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