[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，其特征在于，所述封装层包括保护层、氧化物层、氢化硫化物层和金属薄片；

所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；

所述氢化硫化物层材质为氢化二硫化钨、氢化二硫化钼、氢化二硫化钽、氢化二硫化铌、氢化三硫化二锑或氢化三硫化二砷。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层和氢化硫化物层交替层叠4～7层。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为80～150nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氢化硫化物层的厚度为80～150nm。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电玻璃基板或导电有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极图形；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、发光层、阴极层和保护层；

（2）采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；

（3）采用反应磁控溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，所述氢化硫化物层的材质为氢化二硫化钨、氢化二硫化钼、氢化二硫化钽、氢化二硫化铌、氢化三硫化二锑或氢化三硫化二砷，制备时通入氨气和氩气形成的混合气体，其中氨气占混合气体的体积分数为1%～9%；

（4）在氢化硫化物层上覆盖金属薄片，在金属薄片边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述金属薄片及基板内。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）磁控溅射时通入气体为氩气，气体流量为10～15sccm，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（3）反应磁控溅射时，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（3）反应磁控溅射时，气体流量为10～15sccm。

9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，氨气占混合气体的体积分数为5%。

10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在步骤（3）后采用和步骤（2）相同的方法和材质制备氧化物层，再在所述氧化物层上采用步骤（3）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠4～7层形成的多层结构。