[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，其特征在于，所述封装层依次包括保护层、阻挡层和含铝聚对苯二甲酸乙二酯膜；

所述阻挡层依次包括掺杂氧化物层、氧化物层和有机阻挡层；

所述掺杂氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽中的一种与铼的氧化物掺杂形成的混合物，所述铼的氧化物在掺杂氧化物层中的质量分数为10%～30%；其中，所述铼的氧化物包括一氧化铼、三氧化二铼、二氧化铼、五氧化二铼、三氧化铼或七氧化二铼中的一种；

所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；

所述有机阻挡层的材质为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂氧化物层的厚度为100～150nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为100～150nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为1～1.5μm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂氧化物层、氧化物层和有机阻挡层形成一个基本结构，所述阻挡层为4～7个基本结构重复形成。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电玻璃基板或导电有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极图形；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、发光层、阴极层和保护层；

（2）阻挡层的制备方法如下：

（a）采用非反应磁控溅射的方法在保护层上制备掺杂氧化物层，所述掺杂氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽中的一种与铼的氧化物掺杂形成的混合物，所述铼的氧化物在掺杂氧化物层中的质量分数为10%～30%；其中，所述铼的氧化物包括一氧化铼、三氧化二铼、二氧化铼、五氧化二铼、三氧化铼或七氧化二铼中的一种；

（b）采用非反应磁控溅射的方法在掺杂氧化物层上制备氧化物层，所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；

（c）采用先旋涂后曝光的方法在硫化物层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂；

（3）在含铝聚对苯二甲酸乙二酯膜边缘涂布环氧树脂封装胶，由紫外线固化的方式干燥硬化封装胶，将所述有机电致发光器件封装在所述含铝聚对苯二甲酸乙二酯膜及基板内。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（a）采用非反应磁控溅射方法制备所述掺杂氧化物层时，通入气体为氩气，气体流量为10～15sccm，溅射时本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（b）采用非反应磁控溅射制备所述氧化物层时，通入气体为氩气，气体流量为10～15sccm，溅射时本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（c）采用先旋涂后曝光的方法制备有机阻挡层时制备条件为：在惰性氛围下，旋涂有机阻挡层后，用UV光进行固化，光强为10～15mW/cm²，曝光时间为150～200s。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在步骤（c）后采用和步骤（a）相同的方法和材质在有机阻挡层上制备掺杂氧化物层，再在所述掺杂氧化物层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述氧化物层上采用和步骤（c）相同的方法和材质制备有机阻挡层，所述掺杂氧化物层、氧化物层和有机阻挡层形成一个基本结构，制备4～7个基本结构重复形成阻挡层。