[发明专利]一种用于多极镁电解技术中的氮化硅陶瓷绝缘材料无效
| 申请号: | 201210500599.6 | 申请日: | 2012-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN103848631A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
| 发明(设计)人: | 李华坚;许宏杰;王艳玲;蓝振华;赵芬玲;刘晶 | 申请(专利权)人: | 上海彭浦特种耐火材料厂有限公司;上海柯瑞冶金炉料有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C25C3/04;C25C7/00 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
| 地址: | 200436 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 多极 电解 技术 中的 氮化 陶瓷 绝缘材料 | ||
1.一种用于多极镁电解技术中的高纯氮化硅陶瓷绝缘材料,其特征在于由高纯氮化硅微粉和烧结添加剂组成,其中高纯氮化硅微粉的质量百分数为95-98%,余量为烧结添加剂。
2.按权利要求1所述的绝缘材料,其特征在于所述的高纯氮化硅微粉采用颗粒级配,具体是:
1~5μm高纯氮化硅微粉质量百分含量为10~35%,
5~45μm高纯氮化硅微粉质量百分含量为30~60%,
余量为45~100μm。
3.按权利要求1所述的绝缘材料,其特征在于所述的烧结添加剂为Y2O3、BN、Al2O3、MgO、CaO、Fe2O3或MgF2中的两种、三种或以上。
4.按权利要求1所述的绝缘材料,其特征在于所用的高纯氮化硅质量百分含量大于99%;其中α相大于90%。
5.按权利要求1或3所述的绝缘材料,其特征在于所述的烧结添加剂纯度为质量百分数≥98%。
6.按权利要求1-4中任一项所述的绝缘材料,其特征在于质量百分组成分别为:
(a)高纯氮化硅微粉为96%,烧结添加剂为2%氧化钇、1%氧化铝、0.5%氧化钙和0.5%三氧化二铁;
(b)高纯氮化硅微粉为97.5%,烧结添加剂为1%氧化钇、1%氧化铝、和0.5%氧化镁;
(c)高纯氮化硅微粉为96%,烧结添加剂为2%氧化钇和2%氧化铝;
(d)高纯氮化硅微粉为96%,烧结添加剂为2%氧化钇、1%氧化铝、氟化镁0.5%和0.5%氧化镁。
7.按权利要求1-4中任一项所述的绝缘材料,其特征在于作为用于多极镁电解法还原海绵钛电解槽中石墨电极板间的绝缘材料,使用18个月后,没有明显熔损和开裂,且在整个使用过程未发现电极起弧现象。
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