[发明专利]减薄器件层的方法以及衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201210500197.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102983074A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王文宇;陈国兴;曹共柏;魏星;郑健 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 方法 以及 衬底 制备 | ||
1.一种减薄器件层的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一复合衬底，所述复合衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层；
采用热氧化法在器件层和支撑层表面形成相同厚度的第一和第二热氧化层；
采用单面研磨法减薄器件层表面的第一热氧化层至预定厚度；
同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层全部被除去，而支撑层表面保留有减薄后的第二热氧化层。
2.根据权利要求1所述的减薄器件层的方法，其特征在于，所述支撑层和器件层的材料均为单晶硅，所述第一和第二热氧化层的材料均为氧化硅。
3.根据权利要求1所述的减薄器件层的方法，其特征在于，所述单面研磨进一步是采用化学机械抛光工艺。
4.根据权利要求1所述的减薄器件层的方法，其特征在于，所述同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层的步骤，进一步是通过腐蚀液同时腐蚀第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层恰好全部被除去时停止。
5.根据权利要求1所述的减薄器件层的方法，其特征在于，所述同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层的步骤，进一步是通过双面研磨法同时研磨第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层恰好全部被除去时停止。
6.根据权利要求5所述的减薄器件层的方法，其特征在于，所述双面研磨进一步是采用化学机械抛光工艺。
7.一种衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一支撑衬底和一器件衬底；
在支撑衬底和/或器件衬底表面形成绝缘埋层；
以绝缘埋层为中间层，将器件衬底和支撑衬底键合在一起，形成复合衬底，所述支撑衬底为复合衬底的支撑层；
减薄器件衬底，形成复合衬底的器件层；
采用热氧化法在支撑层和器件层表面形成相同厚度的第一和第二热氧化层；
采用单面研磨法减薄器件层表面的第一热氧化层至预定厚度；
同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层全部被除去，而支撑层表面保留有减薄后的第二热氧化层；
减薄器件层。
8.根据权利要求7所述的衬底的制备方法，其特征在于，所述减薄器件层的步骤，进一步是采用化学机械抛光工艺。
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