[发明专利]一种断点补偿和热限制电路无效
申请号: | 201210499573.4 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN102968153A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 包兴坤 | 申请(专利权)人: | 苏州硅智源微电子有限公司 |
主分类号: | G05F3/20 | 分类号: | G05F3/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 断点 补偿 限制 电路 | ||
1.一种断点补偿和热限制电路,其特征是:在一个具有用来在操作温度范围内的工作温度下提供输出电压的输出端的基准电压电路中,第一和第二两电源正极和一个带隙电压基准根据不同的温度系数在第一个节点提供基准电压,在第二节点提供一个与两晶体管的基极-发射极电压之间的差异成正比且具有正温度系数的电压,一个断点补偿电路包括:连接在输出端和第一节点之间的第一电阻装置;连接到输出端子和第一供应终端的装置用来提供一个电流至输出端;还有连接到第一节点、第二节点和第二电源正极,且响应第二节点电压的补偿装置,当操作温度到达一个断点补偿阈值时,用来产生一个补偿电压通过所述第一电阻装置,即输出电压是基准电压和补偿电压之和,且超过操作温度下等于或高于断点温度阈值的基准电压。所述第一电阻装置包括一个电阻。第二节点电压的正极温度系数等于或大于2mV/℃。
2.根据权利要求1所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:所述补偿装置包括一个第一晶体管和一个第二电阻装置,其中所述第一晶体管的基极连接到第二节点,所述第一晶体管的集电极连接到所述第一电阻装置,所述第二电阻装置连接在所述第一晶体管的发射极和第二电源正极之间;所述第一和第二电阻装置包括好多电阻。
3.根据权利要求1所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:所述补偿装置在第三节点产生一个具有高于第二节点的正极温度系数的电压,该电路还包括:连接到第三极节点且响应第三极节点电压的热关断装置,当工作电压超过热关机温度阈值时,它用来提供一个热关机信号。
4.根据权利要求3所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:所述热关机装置包括一个第二晶体管,它具有一个电压偏置在第三节点的基极-发射极结,且热关机信号出现在所述第二晶体管的集电极。
5.根据权利要求4所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:偏置在所述第二晶体管基极-发射极结的电压有一个有效的等于或大于6mV/℃的正温度系数。
6.根据权利要求1所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:在一个具有输出端的基准电压电路中,该输出端用来提供一个在操作温度范围内的工作温度下的输出电压,第一和第二电源正极和一个带隙电压基准在第一节点提供一个根据温度系数而不同的基准电压,而在第二节点提供一个与两个晶体管基极-发射极电压之间的差异成正比且有一个具有正温度系数的基准电压,一个断点补偿电路包括:一个连接在输出端和第一节点之间的第一晶体管。
7.根据权利要求1所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:连接到第一电源正极的装置和用来提供一个电流至输出端的输出端;一个晶体管;还有一个连接到第二电源正极一端的第二电阻;其中:所述晶体管的基极连接到第二节点,集电极连接到第一节点和发射极连接到所述第二晶体管的另一端来定义一个第三节点,当运行温度到达一个断点温度阈值时,所述晶体管的运作通过产生补偿电压降通过所述第一电阻来提供断点温度补偿,这样,输出电压为参考电压和补偿电压之和,且超过操作温度下等于或高于断点温度阈值的基准电压。
8.根据权利要求6所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:一个用来提供热关断信号的第二晶体管,所述第二晶体管有一个基极-发射极电路,它由一个第三节点电压偏置,该电压具有一个有效正温度系数,等于或大于6mV/℃。
9.根据权利要求1所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:在一个电路中,具有用来提供一个在工作温度范围内的输出电压温度的输出端,一个带隙电压基准在第一节点提供一个具有温度系数的第一电压,而在第二节点提供一个与两晶体管的基极-发射极电压之间差异成正比且有一个正温度系数的第二电压,一个断点补偿电路包括:用来提供一个电流至输出端的装置;还有连接输出端和第一节点,且在第二节点响应第二电压的装置,当操作电压达到一个断点补偿阈值时,它用来产生一个补偿电压,即输出电压由至少第一和补偿电压之和,超过在操作温度(超过断点阈值温度)下的第一电压组成。补偿电压随工作电压上升而上升。
10.根据权利要求8所述的断点补偿和热限制电路,其特征是:所述补偿电压产生装置包括:一个连接在输出端和第一节点之间的电阻装置;和一个连接第一节点且连接第二节点的晶体管,即当工作电压超过断点阈值电压时,所述晶体管导致那个产生的补偿电压通过所述晶体装置。
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