[发明专利]半导体晶片的热处理方法、太阳能电池的制造方法及热处理装置

权利要求书

1.一种半导体晶片的热处理方法，将沿水平方向延伸且内侧的下部设置有气体配管的耐热性的管作为处理室使用，并将具有一对第一遮蔽板的处理用舟皿配置在所述管内，所述一对第一遮蔽板对相互平行地搭载的多个半导体晶片的侧面整体进行遮蔽，向所述管内供给原料气体的同时加热所述管，由此，对搭载于所述处理用舟皿的所述多个半导体晶片实施热处理，其特征在于，所述半导体晶片的热处理方法具有：

将所述多个半导体晶片相互平行立起地搭载于所述处理用舟皿的工序；

沿所述多个半导体晶片的平面相对于所述管的延伸方向平行的方向将所述处理用舟皿投入所述管内的所述气体配管的上方的空间的工序；和

从所述气体配管的开口部将所述原料气体连续地供给到所述管内的同时加热所述管的工序。

2.如权利要求1所述的半导体晶片的热处理方法，其特征在于，使所述原料气体从所述处理用舟皿的下方连续地流入所述处理用舟皿内，并向所述处理用舟皿的上方连续地流出。

3.如权利要求2所述的半导体晶片的热处理方法，其特征在于，

在所述管的内侧的上部配置有排气管，

将流出到所述处理用舟皿的上方的原料气体从所述排气管的开口部连续地排出。

4.一种半导体晶片的热处理方法，将沿水平方向延伸且内侧的上部及下部分别设置有配管的耐热性的管作为处理室使用，将具有一对第一遮蔽板的处理用舟皿配置在所述管内，所述一对第一遮蔽板对相互平行地搭载的多个半导体晶片的侧面整体进行遮蔽，向所述管内供给原料气体的同时加热所述管，由此对搭载于所述处理用舟皿的所述多个半导体晶片实施热处理，其特征在于，所述半导体晶片的热处理方法具有：

将所述多个半导体晶片相互平行立起地搭载于所述处理用舟皿的工序；

沿所述多个半导体晶片的平面相对于所述管的延伸方向平行的方向将所述处理用舟皿投入所述管内的所述配管彼此之间的空间的工序；和

从配置在所述处理用舟皿的上部及下部的所述配管的开口部交替地进行所述原料气体的流入和排出的同时加热所述管的工序。

5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体晶片的热处理方法，其特征在于，通过上端比搭载于所述处理用舟皿的所述多个半导体晶片的上端高2mm以上且下端比所述半导体晶片的下端低2mm以上的所述第一遮蔽板，对所述多个半导体晶片的侧面整体进行遮蔽。

6.如权利要求1~4中任一项所述的半导体晶片的热处理方法，其特征在于，使用还具有与半导体晶片平行的第二遮蔽板的所述处理用舟皿，对所述多个半导体晶片周围进行遮蔽。

7.如权利要求1~4中任一项所述的半导体晶片的热处理方法，其特征在于，所述第一遮蔽板在靠所述多个半导体晶片侧具有遮挡各半导体晶片之间的空间的突起构造。

8.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，将含有掺杂剂的气体作为所述原料气体使用，通过权利要求1~4中任一项所述的半导体晶片的热处理方法进行热扩散处理，在所述多个半导体晶片各自的表面上形成杂质扩散层，并在所述多个半导体晶片各自的内部形成pn结。

9.一种热处理装置，所述热处理装置具有：

耐热性的管，其沿水平方向延伸，并在内侧的下部设置有连续地供给原料气体的气体配管；

处理用舟皿，将多个半导体晶片相互平行立起地进行搭载，该处理用舟皿被配置在所述管内的所述气体配管的上方的空间；和

加热器，从外部加热所述管，

将所述管作为处理室使用，对搭载于所述处理用舟皿的所述多个半导体晶片实施热处理，

所述热处理装置的特征在于，

具有对所述多个半导体晶片的侧面整体进行遮蔽的一对第一遮蔽板，

所述处理用舟皿沿所述多个半导体晶片的平面相对于所述管的延伸方向平行的方向被配置在所述管中。

10.如权利要求9所述的热处理装置，其特征在于，所述第一遮蔽板的上端比搭载于所述处理用舟皿的所述多个半导体晶片的上端高2mm以上，所述第一遮蔽板的下端比搭载于所述处理用舟皿的所述半导体晶片的下端低2mm以上。

11.如权利要求9或10所述的热处理装置，其特征在于，还具有与半导体晶片平行的第二遮蔽板，对所述多个半导体晶片周围进行遮蔽。