[发明专利]湿法刻蚀装置及其刻蚀方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置包括：

刻蚀槽，所述刻蚀槽容置所述刻蚀溶液；

膜厚测试装置，所述膜厚测试装置采用光学测量模式，并可对位于所述刻蚀槽中的待刻蚀晶圆之指定待测位置进行定位，且对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的膜厚在刻蚀过程中进行实时监控；

刻蚀控制装置，所述刻蚀控制装置具有预定设置的预设膜层厚度，并可将所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行监控的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度进行比较。

2.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀槽一侧设置观察窗。

3.如权利要求2所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述膜厚测试装置设置在所述刻蚀槽之观察窗一侧。

4.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述膜厚测试装置设置在所述刻蚀槽之刻蚀溶液内。

5.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述膜厚测试装置用于对氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅的其中之一单层或者其叠加膜层进行厚度测量。

6.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述膜厚测试装置以大于1Hz的固定频率的脉冲信号量测所述待刻蚀晶圆之指待测位置的膜厚。

7.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置用于单枚刻蚀机台或者批刻蚀机台。

8.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：

执行步骤S1：所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行定位；

执行步骤S2：所述湿法刻蚀装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行刻蚀，在刻蚀过程中，所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的膜层厚度进行实时监控；

执行步骤S3：所述刻蚀控制装置将所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行监控的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度进行比较，当所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度相等时，则所述刻蚀控制装置将控制所述湿法刻蚀装置停止刻蚀。

9.如权利要求8所述的湿法刻蚀装置的刻蚀方法，其特征在于，所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆的指定测量位置进行定位是在所述待刻蚀晶圆刻蚀之前进行定位，并在定位完成之后和刻蚀完成之前，所述膜厚测量装置与所述待刻蚀晶圆保持同步运动，所述膜厚测试装置与所述待刻蚀晶圆具有恒定的相对位置，以确保所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆的指定待测试位置之膜厚进行实时监控。

10.如权利要求8所述的湿法刻蚀装置的刻蚀方法，其特征在于，所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆的指定待测试位置之膜厚进行实时监控，是通过所述膜厚测试装置以固定频率的脉冲信号量测所述待刻蚀晶圆之指待测位置的膜厚。

11.如权利要求10所述的湿法刻蚀装置的刻蚀方法，其特征在于，所述固定脉冲频率大于1Hz。