[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体；

提供底部填料以填充所述半导体芯片之间的间隙，使得在所述第一芯片层叠体周围形成填角部分；以及

修整所述填角部分以形成第二芯片层叠体。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，执行所述修整使得所述第二芯片层叠体具有基本上平行于所述半导体芯片中的每一个的侧表面的修整表面。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述半导体芯片中的每一个都具有矩形形状，由此所述填角部分形成在所述第一芯片层叠体的四个侧壁中的每一个上，以及

执行所述修整使得形成在所述四个侧壁上的所述填角部分中的每一个都被修整。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，通过切割或抛光来执行所述修整。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造半导体器件的方法，还包括将所述第二芯片层叠体倒装芯片安装在布线衬底上。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造半导体器件的方法，还包括：

将另一半导体芯片倒装芯片安装在布线衬底上，使得所述布线衬底的主表面面对所述另一半导体芯片的一个表面；以及

将所述第二芯片层叠体倒装芯片安装在所述另一半导体芯片的另一表面上。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造半导体器件的方法，还包括：

将另一半导体芯片倒装芯片安装在布线衬底的主表面的第一区域上；以及

将所述第二芯片层叠体倒装芯片安装在与所述布线衬底的所述主表面的所述第一区域不同的第二区域上。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，还包括在所述布线衬底的所述主表面以及所述另一半导体芯片和所述第二芯片层叠体之间提供硅插入物。

9.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造半导体器件的方法，其中

所述多个半导体芯片包括第一半导体芯片和多个第二半导体芯片，

所述第一半导体芯片包括第一芯片本体，所述第一芯片本体具有作为基本平坦面的一个表面和其上提供有第一凸块电极的另一表面，

所述第二半导体芯片中的每一个都包括第二芯片本体、贯穿所述第二芯片本体的贯穿电极以及在所述贯穿电极的两端提供的第二凸块电极，并且

通过将所述第一半导体芯片安装到结合工具的载物台上使得所述第一芯片本体的所述一个表面面对所述载物台，并且随后将所述第二半导体芯片顺序安装在所述第一半导体芯片上使得所述第一凸块电极、所述第二凸块电极和所述贯穿电极彼此电连接，来执行所述堆叠。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述提供所述底部填料包括：

放置所述第一芯片层叠体使得所述第一芯片本体的所述一个表面面对附接到载物台的平坦面的片材；

将液态的所述底部填料分布至所述第一芯片层叠体的侧壁以借助毛细现象密封所述半导体芯片之间的间隙；以及

固化所述底部填料以使其从液态转变为固态。

11.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述堆叠中最后堆叠的所述第二半导体芯片中的一个是接口芯片，并且其他所述第二半导体芯片和所述第一半导体芯片是存储芯片。

12.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，还包括将所述第二芯片层叠体倒装芯片安装在具有连接盘的布线衬底上。

13.根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法，其中，执行所述倒装芯片安装使得从所述底部填料中暴露出的所述第二凸块电极和所述布线衬底的所述连接盘彼此结合。

14.根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法，还包括形成第一密封树脂以密封所述第二芯片层叠体和所述布线衬底之间的空间。

15.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法，还包括形成第二密封树脂以密封所述布线衬底的主表面上的所述第一密封树脂和所述第二芯片层叠体。

16.根据权利要求15所述的制造半导体器件的方法，还包括形成电连接至所述布线衬底的背表面上的所述连接盘的外部连接盘。