[发明专利]相位补偿电路、具有该电路的半导体集成电路和功率供应电路

权利要求书

1.一种用于功率供应电路（1，21，31，41，51，61，71，81）的相位补偿电路，所述功率供应电路根据通过功率供应输入端子（P1）输入至所述功率供应电路的输入电压来生成恒定输出电压，并且从功率供应输出端子（P3）输出所述输出电压，所述功率供应电路包括主晶体管（T1，T31，T41，T51，T61，T71，T81）和误差放大器（4，22），所述主晶体管控制从所述功率供应输入端子至所述功率供应输出端子的功率供应，所述误差放大器（4，22）基于根据所述输出电压的探测电压和根据所述输出电压的目标值的参考电压来控制所述主晶体管的操作，使得所述输出电压与所述目标值一致，所述误差放大器包括至少一个放大器电路（4，23），所述相位补偿电路包括：

电平移动电路（9），配置为接收所述输出电压，并将所述输出电压的dc分量朝向地电位移动预定电压，以生成移动电压；以及

相位补偿电容器（C2），布置在所述电平移动电路的输出端子与所述误差放大器的所述放大器电路的输入端子之间的路线上。

2.根据权利要求1所述的相位补偿电路，其中，所述相位补偿电容器（C2）布置在所述电平移动电路（9）的所述输出端子与相对于作为参考的所述地电位执行放大操作的所述放大器电路（4，23）的所述输入端子之间的所述路线上。

3.根据权利要求1或2所述的相位补偿电路，其中，所述功率供应电路是开关调节器（71，81）。

4.根据权利要求1或2所述的相位补偿电路，其中，所述功率供应电路是线性调节器（1，21，31，41，51，61）。

5.根据权利要求1或2所述的相位补偿电路，其中，

所述电平移动电路（9）包括齐纳二极管（D1）和电阻器（R3）；

所述齐纳二极管反向布置在所述功率供应电路的所述功率供应输出端子（P3）与所述功率供应电路的具有所述地电位的地线（8）之间；

所述电阻器（R3）布置在所述齐纳二极管（D1）的阳极与所述地线之间；并且

用以输出所述移动电压的所述电平移动电路的所述输出端子定义在所述齐纳二极管的所述阳极处。

6.根据权利要求1或2所述的相位补偿电路，其中，

所述电平移动电路（9）包括二极管（Da）和电阻器（R3）；

所述二极管（Da）正向布置在所述功率供应电路的所述功率供应输出端子（P3）与所述功率供应电路的具有所述地电位的地线（8）之间；

所述电阻器（R3）布置在所述二极管的阴极与所述地线之间；并且

用以输出所述移动电压的所述电平移动电路的所述输出端子定义在所述二极管的所述阴极处。

7.一种包括根据权利要求1或2所述的相位补偿电路的半导体集成电路，其中，

所述相位补偿电容器（C2）由定义在布线图案（12）与半导体基底（11）之间的电容器和定义在布线图案之间的电容器之一提供；并且

耦合至所述布线图案（12）的所述相位补偿电容器的电极（a1）耦合至所述放大器电路的所述输入端子。

8.一种功率供应电路，用于根据通过功率供应输入端子输入至所述功率供应电路的输入电压来生成恒定输出电压并且从功率供应输出端子输出所述输出电压，所述功率供应电路包括：

主晶体管（T1，T31，T41，T51，T61，T71，T81），所述主晶体管（T1，T31，T41，T51，T61，T71，T81）控制从所述功率供应输入端子至所述功率供应输出端子的功率供应；

误差放大器（4，22），所述误差放大器（4，22）基于根据所述输出电压的探测电压和对应于所述输出电压的目标值的参考电压来控制所述主晶体管的操作，使得所述输出电压与所述目标值一致，所述误差放大器包括至少一个放大器电路（4，23）；以及

相位补偿电路（5，24），所述相位补偿电路（5，24）包括电平移动电路（9）和相位补偿电容器（C2），其中，

所述电平移动电路（9）配置为接收所述输出电压，并将所述输出电压的dc分量向下移动预定电压，以生成移动电压；并且

所述相位补偿电容器布置在所述电平移动电路的输出端子（N2）与所述误差放大器的所述放大器电路的输入端子之间的路线上。