[发明专利]一种石墨烯纳米带及其制备方法和在透明电极中的应用

权利要求书

1.一种石墨烯纳米带的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将含有可纺高分子的溶液或熔融体通过静电纺丝沉积于石墨烯薄膜上形成掩模板；（2）将没有被所述掩模板覆盖的石墨烯薄膜上的石墨烯刻蚀掉；（3）将所述掩模板去除形成石墨烯纳米带。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可纺高分子为聚丙烯腈、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯和聚乳酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，该方法还包括将无机物、无机纳米粒子、有机金属化合物中的一种或多种分散在所述可纺高分子的溶液或熔融体中，按质量比计，所述无机物、无机纳米粒子、有机金属化合物的总量与所述可纺高分子的溶液或熔融体的质量比为0.1~10：1。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其中，所述无机物为氯化钠、氯化锰以及醋酸镍中的一种或多种；所述无机纳米粒子为氧化锌、三氧化二铝、二氧化硅中的一种或多种；所述有机金属化合物为四乙基铅、三苯基锡以及三羰基环戊二烯锰中的一种或多种。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其中，所述含可纺高分子的溶液或熔融体的浓度为3~30wt%。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述静电纺丝的条件包括：电源电压为5~30KV，接收基底为硅片、铝箔、石英片、聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚丙烯酸甲酯片中的一种或多种，且所述接收基底上负载有石墨烯薄膜，所述接收基底与喷嘴之间的距离为5~20cm，沉积的时间为1秒~5小时。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将没有被所述掩模板覆盖的石墨烯薄膜上的石墨烯刻蚀掉的方法为反应离子刻蚀。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述掩模板去除的方法包括用溶剂溶解所述掩模板，所述溶剂为N，N-二甲基甲酰胺、乙醇、蒸馏水、四氢呋喃和氯仿中的一种或多种。

9.权利要求1-8中任意一项所述的方法制备的石墨烯纳米带，其中，所述石墨烯纳米带长为2μm-3mm，宽度为8nm-200nm，厚度为0.7nm-30nm。

10.权利要求1-9中任意一项所述的方法制备的石墨烯纳米带在透明电极中的应用。