[发明专利]一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法

权利要求书

1.一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其特征是该方法包括以下步骤：

一、在磷化铟InP衬底上外延出镓砷锑双异质结双极型晶体管GaAsSb DHBT的外延层，GaAsSb DHBT的外延层自磷化铟InP衬底向上依次为：集电区、基区、发射区，集电区材料为磷化铟InP，基区材料为镓砷锑GaAsSb，发射区材料为磷化铟InP；

二、光刻发射极图形，蒸发金属并进行剥离，形成发射极金属，以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；

三、淀积介质薄膜，利用介质薄膜保护住基区材料，淀积的介质薄膜是氮化硅SiN或者二氧化硅SiO₂；

四、光刻基极图形，以基极图形的光刻胶为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉基极上方的介质薄膜；

五、蒸发金属并进行剥离，形成基极金属；

六、以基极金属和发射极金属为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉器件周围的介质薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其特征是在光刻基极图形之前，1）利用介质薄膜保护住基区材料GaAsSb，2）再光刻基极图形并利用干法刻蚀的方法将基极图形转移到介质薄膜之上，3）再完成基极金属的蒸发与剥离；整个工艺过程中显影液与基区材料不会直接接触，从而避免了显影液对基区材料的腐蚀。