[发明专利]基板检测装置有效
申请号: | 201210495223.0 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103137514A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 金显正 | 申请(专利权)人: | 灿美工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板检测装置,在内部形成密闭腔室,且在腔室内点亮基板进行检测。
背景技术
平板显示器大致分为液晶显示器(LCD:Liquid Crystal Display)、等离子显示器(PDP:Plasma Display Panel)、发光二极管(LED:Light-Emitting Diode)显示器和有机发光二极管(OLED:Organic Light-Emitting Diode)显示器等。
有机发光二极管显示器具有低电压驱动、发光效率高、视野角度广、反应速度快等优点,并作为能够显示高品质视频的新一代平板显示器备受瞩目。
有机发光二极管显示器,在玻璃材质的基板上依次层叠铟锡氧化物(ITO:Indium Tin Oxide)阳极层、空穴注入层、发光层、电子层、电子输送层和金属阴极层形成。而且,空穴注入层到电子输送层是被湿气或氧气氧化的有机物质,故在基板上形成有用于保护所述多个层的玻璃或金属材质的封盖。
现有的基板检测装置,无任何将基板与大气隔绝状态下进行检测的方法,因此只能在基板上形成封盖的状态下检测基板有无异常。但,无法从基板上分离封盖,因此即使在基板检测时发现了基板缺陷,也不能仅修复发生缺陷的基板部位使用,而只能报废形成封盖的基板。因此,存在基板制造成本上升的缺点。
另外,现有的基板检测装置必须设置在真空空间或氧气(O2)浓度在1ppm以下的氮气(N2)气氛的空间内使用。这样,为了营造相对体积大的设置空间的气氛,所需费用较高。因此,存在基板制造成本进一步上升的缺点。
韩国公开专利公报10-2005-0008282号等中公开了与基板检测装置有关的在先技术。
发明内容
本发明为了解决所述现有技术中存在的问题而提出,本发明的目的在于提供一种可降低基板制造成本的基板检测装置。
为了达到所述目的,本发明涉及的基板检测装置,包括:主体,在内部形成有用于投入基板进行检测的腔室,且在上表面形成有透明窗;支撑板,可升降地设置在所述主体的内部,用于支撑所述基板;升降单元,设置在所述主体的下侧,用于升降所述支撑板;第一摄像单元,以能够沿相互正交的X轴方向和Y轴方向移动的方式设置在所述主体上,并通过所述透明窗,拍摄投入到所述腔室内的所述基板。
本发明的有益效果
本发明涉及的基板检测装置,在主体内部形成有用于检测基板的密闭空间的腔室。因此,不必在基板上形成将基板上形成的多个层与大气隔绝的封盖,也能对基板进行检测,因此通过基板检测,发现基板的缺陷部位时,仅修复缺陷部位即可使用。从而降低基板的制造成本。
另外,只需适当营造在体积相对小的空间的主体内形成的腔室气氛即可,从而具有进一步降低基板制造成本的效果。
附图说明
图1是示出本发明的一实施例涉及的基板检测装置的立体图。
图2是示出图1所示的盖子被开放状态的立体图
图3是示出图2的部分分解立体图。
图4是示出图3的“A”部放大图。
图5至图7是示出用于说明本发明的一实施例涉及的基板检测装置的动作而卸下盖子的状态的立体图。
附图标记
110:主体
130:支撑板
140:升降单元
150:第一摄像单元
160:支撑框架
170:第二摄像单元
具体实施方式
下面,参照附图详细说明能够实现本发明的特定实施例。为了使本领域的技术人员能够充分实施本发明,将对这些实施例作以详细说明。本发明的各种实施例虽有所不同,但相互之间并不排斥。例如,这里记载的与一实施例有关的特定形状,特定结构和特性,在不脱离本发明精神和范围的情况下,也可以由其它实施例实现。另外,应理解为,各自公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置,在不脱离本发明精神和范围的情况下也可以进行变更。因此,后述详细说明并无限定之意,准确地说,本发明的保护范围仅以权利要求书所记载的内容为准,包含与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。为方便起见,也有可能夸张显示附图所示实施例的长度、面积、厚度及形态。
以下,参照附图详细说明本发明的一实施例涉及的基板检测装置。
图1是示出本发明的一实施例涉及的基板检测装置的立体图,图2是示出图1所示的盖子被开放状态的立体图,图3是示出图2的部分分解立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造