[发明专利]太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片无效
申请号: | 201210494100.5 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN102931245A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 徐振华;李钢;武明;杨晓君;李秉霖;姜言森;贾河顺;程亮;任现坤;张春艳 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
地址: | 250103 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 正面 印刷 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池栅线及电池片,具体涉及太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片。
背景技术
太阳能产业的迅速发展需要不断降低物料成本,提高光电转化效率高来降低发电成本,达到与市电同价或低于市电电价的目标。
当前常规晶硅电池随着产业化的发展,转换效率提升和成本降低都有了较大的进步。晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤:化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。太阳能电池片在将光能转换成电能的过程中,其内部产生的光生载流子需要通过外部印刷的电极收集并引出,然后与外部电路连接,从而将电流输送出来。通过所述外部印刷的电极不仅可以用来收集光生载流子,而且还能对太阳能电池进行测试,进而选取不同效率的电池片,可在制作太阳能电池组件的时候得到最大的功率输出。
现有技术中太阳能电池采用两主栅或三主栅结构,主栅线和副栅线覆盖在硅片上的面积较大,这使得现有技术的栅线遮光率达到了6%以上,降低了太阳能电池片的利用效率。除此之外,印刷电极时需要贵重金属作为导电浆料,主栅线和副栅线覆盖在硅片上的面积较大也必然使得导电浆料的使用增加,因此,致使太阳能电池片的制作成本较高。
发明内容
本发明的目的就是提供一种太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片,该正电极结构能够有效地提高太阳能电池片的光利用和电子收集率,提高太阳能电池的填充因子和转换效率,而且能够降低太阳能电池片的制作成本。
本发明采用的技术方案为:一种太阳电池正面栅线,包括主栅线和副栅线,由四根相互平行的主栅和相互之间平行并与主栅垂直的若干副栅线组成,所述主栅线及背面电极均可为实心或由镂空或分段图案构成。
所述太阳能电池片的正面主栅线宽度为0.5~1.5mm,数量为4根,在太阳能电池片正面均匀对称分布或间距不等分布。
3所述副栅线相互平行并与主栅垂直,副栅线宽度为20~100μm,副栅线条数为至少2根。
所述主栅线为实心或由镂空或分段图案构成。
所述主栅线形状为长条形或者是两端或一端带尖端的形状。
所述副栅线还包括与主栅平行并连接所有副栅线顶端的两根副栅,宽度为20~100μm。
一种印刷上述太阳电池正面栅线的太阳能电池片,电池背面电极对应于正面主栅的条数和位置。电池片背面电极为实心或由镂空或分段图案构成。
本发明的有益效果是:太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片,该正面栅线包括主栅线和副栅线,由四根相互平行的主栅和相互之间平行并与主栅垂直的若干副栅线组成,所述电池背面电极对应于正面主栅的条数和位置,所述主栅线及背面电极均可为实心或由镂空或分段图案构成。印刷该正面栅线的太阳能电池片遮光率得到有效降低,采用本发明实施例中优选方案的电池折光率可以降低到5%左右,同时由于电极更加密集,收集电子的能力提升,这使得太阳能电池片的串联电阻降低,填充因子上升,继而提高了整体转换效率。同时,正面电极面积减小,正极银浆的印刷重量也随之降低,继而降低了太阳能电池片的制造成本。对于达到市电同价,推动太阳能这一绿色新能源代替传统能源有着深刻的意义。
附图说明:
图1所示为现有技术太阳能电池结构示意图;
图2所示为本发明正面电极结构示意图;
图3所示为电池片结构正背面电极位置示意图;
图4所示为几种正面主栅线和背面电极图形。
图中,101. 正面主栅线,102. 正面副栅线,201. 正面主栅线,202. 正面副栅线;203. 与主栅平行并连接所有其他副栅线的正面副栅线,301. 硅片,302. 铝背场,303. PN结,304. 减反射层,305. 正面主栅,306. 背面电极,401. 正常主栅,402. 两端缩小主栅,403. 镂空主栅,404. 分段式主栅,405. 正常背极,406. 镂空背极,407. 分段式背极。
具体实施方式:
为了更好地理解本发明,下面结合附图和实例来说明本发明的技术方案,但是本发明并不局限于此。
常规太阳能电池片如说明书附图图1所示,包括两到三条主栅线101和多条副栅线102。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的