[发明专利]芯片封装以及用于形成芯片封装的方法

权利要求书

1.一种芯片封装，所述芯片封装包括：

被配置为承载芯片的芯片载体，所述芯片被布置在芯片载体侧之上，其中芯片载体侧被配置来与芯片背面电连接；

绝缘材料，所述绝缘材料包括：

       被形成在第一芯片侧面之上的第一绝缘部分；

       被形成在第二芯片侧面之上的第二绝缘部分，其中第一芯片侧面和第二芯片侧面每个都毗连芯片背面的相对的边缘；以及

       被形成在芯片正面的至少部分之上的第三绝缘部分，其中所述芯片正面包括被形成在所述芯片正面内的一个或多个电接触部；

其中第一绝缘部分的至少部分被布置在芯片载体侧之上，并且其中第一绝缘部分被配置为在垂直于第一芯片侧面的方向上比芯片载体延伸得更远。

2.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片包括来自下列半导体器件组的至少一个半导体器件，其中所述组包括：晶体管、MOS晶体管、双极晶体管、场效应晶体管、二极管。

3.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片包括来自下列功率半导体器件组的至少一个功率半导体器件，所述组包括：功率晶体管、功率MOS晶体管、功率双极晶体管、功率场效应晶体管、功率绝缘栅双极晶体管IGBT、晶闸管、MOS可控晶闸管、可控硅整流器、功率肖特基二极管、碳化硅二极管、氮化镓器件。

4.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，被形成在芯片正面内的一个或多个电接触部包括一个或多个电接触焊盘。

5.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片背面包括针对半导体器件的至少一个电接触部。

6.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片背面包括针对半导体器件的源极接触部和漏极接触部中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片载体包括导电材料。

8.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片载体包括通过半加成工艺被沉积在芯片背面之上的导电材料。

9.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片载体包括来自下列材料组的至少一个，其中所述组包括：锡、铅、银、铜、镍。

10.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，芯片载体具有范围从约1μm到约400μm的厚度。

11.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，绝缘材料包括来自下列材料组的至少一个，其中所述组包括：塑料、未填充的塑料、用玻璃填充的塑料、用陶瓷填充的塑料、用陶瓷颗粒填充的塑料、用玻璃纤维填充的塑料、塑料聚合物、基于热固塑料的塑料聚合物、基于热塑塑料的塑料聚合物以及树脂。

12.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，绝缘材料被配置为使被形成在芯片正面内的一个或多个电接触部电绝缘。

13.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，绝缘材料被配置为使与一个或多个电接触部电连接的一个或多个电互连电绝缘，

其中，一个或多个电互连被配置为基本上垂直地远离芯片正面延伸穿过第三绝缘部分。

14.根据权利要求1所述的芯片封装，

进一步包括与芯片载体侧电连接的至少一个另外的电互连，

其中，至少一个另外的电互连被配置为基本上垂直地远离芯片载体侧延伸穿过第一绝缘部分。

15.根据权利要求1所述的芯片封装，

其中，第二绝缘部分被配置为在垂直于第二芯片侧面的方向上比芯片载体延伸得更远。

16.根据权利要求1所述的芯片封装，

进一步包括被配置为接近芯片载体的另外的绝缘材料，

所述另外的绝缘材料被配置在第一绝缘部分的在垂直于第一芯片侧面的方向上比芯片载体延伸得更远的部分之上。

17.根据权利要求1所述的芯片封装，

进一步包括被配置为接近芯片载体的另外的绝缘材料，

所述另外的绝缘材料被配置在第二绝缘部分的在垂直于第二芯片侧面的方向上比芯片载体延伸得更远的部分之上。