[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

现有技术的阵列基板包括栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括：薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）、像素电极和公共电极，且每个像素单元只有一个TFT。该TFT的源极连接数据线，漏极连接像素电极，栅极由栅线驱动以开启TFT沟道，使数据线上的电压信号通过TFT施加至像素电极上。开启TFT沟道时通常需要较大的栅电极开启电压，以保证沟道处的充电电流和充电率，从而使得功耗上升。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何降低开启TFT时所需的功耗。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括：第一薄膜晶体管，每个像素单元还包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用栅极及有源层，所述第二薄膜晶体管用于在第一薄膜晶体管的沟道处形成一开启电压，与所述栅极提供的开启电压共同开启第一薄膜晶体管的沟道。

其中，所述第二薄膜晶体管的源漏电极层与所述第一薄膜晶体管的源漏电极层之间设有绝缘间隔层，所述第二薄膜晶体管的源极连接所述栅线及所述有源层，第二薄膜晶体管的漏极连接所述有源层，且位于所述第一薄膜晶体管的沟道区域。

其中，所述绝缘间隔层覆盖整个阵列基板，所述第二薄膜晶体管的源极通过穿过所述绝缘间隔层、有源层和栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层和所述栅线，所述第二薄膜晶体管的漏极通过穿过所述绝缘间隔层的第二过孔连接所述有源层。

其中，穿过所述绝缘间隔层、有源层和栅绝缘层的第一过孔为阶梯孔，穿过所述绝缘间隔层的孔的直径大于穿过有源层和栅绝缘层的孔的直径。

其中，所述绝缘间隔层覆盖的区域对应为所述第二薄膜晶体管的漏极的与所述第一薄膜晶体管的源极、漏极及第一薄膜晶体管的源极和漏极之间的沟道重叠的区域，所述第二薄膜晶体管的源极通过穿过所述有源层和栅绝缘层的第一过孔连接所述栅线。

其中，还包括：与栅线同层的公共电极线，所述第二薄膜晶体管的源漏电极层与所述第一薄膜晶体管的源漏电极层之间设有绝缘间隔层，所述第二薄膜晶体管的源极连接所述公共电极线和所述有源层，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述有源层，且位于所述第一薄膜晶体管的沟道区域。

其中，所述绝缘间隔层覆盖整个阵列基板，所述第二薄膜晶体管的源极通过穿过所述绝缘间隔层的第三过孔连接所述有源层，且通过穿过所述绝缘间隔层及栅绝缘层的第一过孔连接所述公共电极线，所述第二薄膜晶体管的漏极通过穿过所述绝缘间隔层的第二过孔连接所述有源层。

其中，所述绝缘间隔层覆盖的区域对应为所述第二薄膜晶体管的漏极的与所述第一薄膜晶体管的源极、漏极及第一薄膜晶体管的源极和漏极之间的沟道重叠的区域，所述第二薄膜晶体管的源极通过穿过所述栅绝缘层的第一过孔连接所述公共电极线。

其中，所述第二薄膜晶体管上方还覆盖有钝化层。

本发明还提供了一种阵列基板制作方法，包括以下步骤：

在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层及有源层的图形；

形成包括数据线、第一源极及第一漏极的图形，以形成第一薄膜晶体管；

形成绝缘间隔层；

形成包括第二源极、第二漏极的图形，以形成第二薄膜晶体管，使所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用栅极及有源层，第二漏极位于所述第一源极及第一漏极之间的沟道的上方。

其中，在形成绝缘间隔层时，使所述绝缘间隔层覆盖的区域对应为所述第二漏极与所述第一源极、第一漏极及第一源极和第一漏极之间的沟道重叠的区域，在形成所述绝缘间隔层之后第二薄膜晶体管之前还包括在所述栅绝缘层和有源层上位于所述第二源极的区域内形成第一过孔使暴露出所述栅线。

其中，形成绝缘间隔层覆盖整个基板，同时还包括在所述绝缘间隔层上位于所述第二源极的区域内形成第一过孔使暴露出所述栅线，位于所述第二漏极的区域内形成第二过孔使暴露出所述有源层。

其中，在形成栅线的同时，还包括形成公共电极线。