[发明专利]合成结构的高压器件及启动电路

权利要求书

1.一种合成结构的高压器件，其特征在于，包括高压功率管HVNMOS和JFET管，

所述高压功率管HVNMOS包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的P型阱区Pwell；

所述JFET管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的N型阱区Nwell；

所述高压功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏极，所述漏极采用N型双扩散工艺。

2.如权利要求1所述的合成结构的高压器件，其特征在于，所述衬底上还包括掩埋层Bury P和深N型阱区Deep Nwell，用于提高器件的耐压值和可靠性。

3.一种启动电路，其特征在于，包括负阈值开关管、使能模块、防倒灌模块以及电压检测模块，

高压输入信号接入所述负阈值开关管的输入端，负阈值开关管的输出端接防倒灌模块的输入端，负阈值开关管的控制端接使能模块的输出端，使能模块的输入端接电压检测模块的输出端，电压检测模块的输入端和芯片的电源端共接于防倒灌模块的输出端，所述高压输入信号接入所述负阈值开关管的输入端，通过负阈值开关管向芯片的电源端VDD提供能量，所述电压检测模块检测芯片的电源端VDD的电压值，当电源端VDD的电压值达到芯片预定工作电压时，所述芯片启动，同时所述电压检测模块输出使能信号EN；

所述使能模块接收所述使能信号EN，使得所述负阈值开关管截止，关闭所述负阈值开关管；

所述防倒灌模块使得所述负阈值开关管的输入端与芯片的电源端VDD之间单向导通，防止VDD端的电流倒流回开关管的输入端。

4.如权利要求3所述的启动电路，其特征在于，所述负阈值开关管包括开启电压阈值为负值的N型半导体器件，所述负值的N型半导体器件的漏极、源极和栅极分别为所述负阈值开关管的输入端、输出端和控制端。

5.如权利要求4所述的启动电路，其特征在于，所述负阈值开关管包括耗尽型场效应管或结型场效应管。