[发明专利]降低硅锭中部缺陷的方法和应用该方法的铸锭炉有效
| 申请号： | 201210492857.0 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102925960A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 潘家明;何广川 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 中部 缺陷 方法 应用 铸锭 | ||
1.一种铸锭炉，包括容纳硅料的石英坩埚，以及支撑所述石英坩埚的散热台，其特征在于，还包括设于所述石英坩埚和所述散热台之间的导热增高块。
2.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述导热增高块具体为石墨增高块。
3.根据权利要求1或2所述的铸锭炉，其特征在于，所述散热台具有台阶式结构，其上层尺寸小于下层尺寸，所述导热增高块的尺寸小于所述上层尺寸。
4.根据权利要求1或2所述的铸锭炉，其特征在于，所述导热增高块的厚度范围为3mm-40mm；其外周与所述散热台的外周之间的距离范围为5mm-150mm。
5.一种降低硅锭中部缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在石英坩埚与散热台之间设置导热增高块；
2）熔融硅料后，将温度降至1400℃-1450℃，历时20-60min；
3）继续降低温度至1380℃，历时20min-100min；
4）降低温度至1360℃，历时1200min-2600min。
6.根据权利要求5所述的降低硅锭中部缺陷的方法，其特征在于，所述步骤2)中，分两步或多步降温。
7.根据权利要求5所述的降低硅锭中部缺陷的方法，其特征在于，所述步骤3）中，将百叶窗打开10°-30°角。
8.根据权利要求5所述的降低硅锭中部缺陷的方法，其特征在于，所述步骤4）中，将百叶窗缓慢打开，保证硅料结晶速率控制在5mm/h-30mm/h中的一数值稳定生长。
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