[发明专利]焊垫结构及其制作方法

权利要求书

1.一种焊垫结构，其特征在于，包括：

位于芯片顶部的介电层及包埋在所述介电层中的顶层金属，所述介电层与所述顶层金属的上表面齐平；

位于所述介电层及顶层金属上的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分所述顶层金属的窗口，所述窗口内填充有焊垫金属层；

其中，所述钝化层至少包括第一钝化层、第二钝化层、以及介于第一钝化层与第二钝化层之间的第三钝化层，所述第二钝化层的材质为碳化硅，所述第三钝化层的材质为氮化硅或碳氮化硅，所述第二钝化层粘合所述介电层与第一钝化层，提高所述焊垫金属层与所述顶层金属的电连接性。

2.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于，所述介电层材质为二氧化硅，所述第一钝化层材质为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于，所述第三钝化层为刻蚀终止层。

4.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于，所述第二钝化层的厚度占所述第二钝化层与第三钝化层总厚度的比例大于30％。

5.根据权利要求1至4任一项所述的焊垫结构，其特征在于，所述顶层金属的材质为铜，所述焊垫金属层的材质为铝。

6.一种焊垫结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供芯片，所述芯片顶部具有介电层及包埋在所述介电层中的顶层金属，所述介电层与所述顶层金属的上表面齐平；

淀积钝化层，所述钝化层至少包括第一钝化层、第二钝化层、以及介于第一钝化层与第二钝化层之间的第三钝化层，所述第二钝化层的材质为碳化硅，所述第三钝化层的材质为氮化硅或碳氮化硅，其中，所述第二钝化层粘合所述介电层与第一钝化层；

在所述钝化层内形成窗口，所述窗口暴露部分所述顶层金属；

在所述窗口内形成焊垫金属层。

7.根据权利要求6所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，在所述钝化层内形成窗口是通过干法刻蚀在所述钝化层内形成沟槽实现的。

8.根据权利要求6或7所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，所述介电层材质为二氧化硅，所述第一钝化层材质为二氧化硅，所述碳化硅的淀积方法为PVD或CVD。

9.根据权利要求6或7所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，所述第三钝化层为刻蚀终止层，所述碳化硅的淀积方法为PVD或CVD，所述氮化硅或碳氮化硅的淀积方法也为PVD或CVD。