[发明专利]外延片量子阱结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210491167.3 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103840044B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 肖怀曙 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 量子 结构 制备 方法 | ||
1.一种外延片量子阱结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底之上形成本征氮化镓层；
在所述本征氮化镓层之上形成第一类型的氮化镓层；
在所述第一类型的氮化镓层之上形成氮化镓/铟镓氮的量子阱结构，其中，氮化镓量子垒在第一温度、第一压强条件下、第一气氛中形成，铟镓氮量子阱在第二温度、第二压强条件下、第二气氛中形成；
在所述量子阱结构之上形成第二类型的氮化镓层，
其中，所述第一温度高于所述第二温度，所述第一压强高于第二压强，所述第一气氛的气体比热容低于所述第二气氛的气体比热容。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一气氛为氦气，所述第二气氛为氮气。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一气氛为氦氮混合气体，所述第二气氛为氮气。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述第一类型的氮化镓层与所述量子阱结构之间形成应力释放层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述应力释放层为交替生长的多层铟镓氮子层和多层氮化镓子层的超晶格结构。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，每层所述氮化镓子层厚度为15nm-85nm，每层所述铟镓氮子层厚度为1nm-20nm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述量子阱结构与所述第二类型的氮化镓层之间形成阻挡层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，重复n次所述形成氮化镓/铟镓氮的量子阱结构的步骤，以形成多量子阱结构，其中2≤n≤25。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度为800℃-900℃，所述第二温度为700℃-800℃。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一压强为300mbr-500mbr，所述第二压强为100mbr-300mbr，且所述第一压强与第二压强的差为100mbr-400mbr。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻挡层材料为铝镓氮，厚度为20nm-60nm。
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