[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201210490812.X | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103137652A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 冈本薰;木户滋;大塚学;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板;和
在该基板上提供的多个像素,
每个所述像素具有通过将在基板上提供的下电极、有机化合物层和上电极依次叠加而获得的有机电致发光元件,以及
所述下电极包括对于所述像素的每一个在所述基板上独立地放置的电极,
其中:
所述下电极包括在所述基板上提供的第一下电极层和在所述第一下电极层上的区域中提供的第二下电极层,所述区域避开端部分;
所述有机化合物层和所述上电极覆盖所述第一下电极层和所述第二下电极层;以及
从所述第二下电极层到所述有机化合物层中的电荷注入性质大于从所述第一下电极层到所述有机化合物层中的电荷注入性质。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中在所述第一下电极层中的金属元素当中具有最小的功函数的金属元素的功函数小于在所述第二下电极层中的金属元素当中具有最大的功函数的金属元素的功函数。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中:
所述第一下电极层由Al以及包含Al和具有比Al的功函数小的功函数的金属元素的Al合金中的一个形成;以及
所述第二下电极层由包含Al和具有比第一下电极层中的所述金属元素的功函数大的功函数的金属元素的Al合金形成。
4.一种制造根据权利要求1到3中的任何一个所述的显示设备的方法,所述方法包括:
将第一下电极层和第二下电极层依次形成;
通过使用光刻来处理所述第一下电极层和所述第二下电极层的每一个,以对于每个像素形成由第一下电极层和第二下电极层形成的下电极;
去除在形成下电极时在下电极的表面上形成的氧化物膜;
使得所述下电极的表面经受氧等离子处理;
形成有机化合物层;以及
形成上电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210490812.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:存储器装置及其负位线信号产生装置
- 下一篇:车辆信息整合平台
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的