[发明专利]基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201210490468.4 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102931583A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;李云鹏;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/042 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 双重 sio sub zno 结构 抽运 随机 激光器 制备 方法 用途 | ||
1.一种电抽运随机激光器，其特征在于：在硅衬底(1)的正面自下而上依次沉积有第一ZnO薄膜(2)、第一SiO2薄膜(3)、第二ZnO薄膜(4)、第二SiO2薄膜(5)和半透明电极(6)，在硅衬底(1)背面沉积有欧姆接触电极(7)。
2.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的第一ZnO薄膜(2)、第二ZnO薄膜(4)的厚度为30nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的第一SiO2薄膜(3)、第二SiO2薄膜(5)的厚度为30～100nm。
4.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的半透明电极(6)的厚度为10～30nm。
5.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的半透明电极(6)为半透明Au 电极。
6.一种电抽运随机激光器的制备方法，包括如下步骤：
1) 在硅衬底(1)正面沉积第一ZnO薄膜(2)；
2) 在第一ZnO薄膜(2)上沉积第一SiO2薄膜(3)；
3) 在第一SiO2薄膜(3)上沉积第二ZnO薄膜(4)；
4) 在第二ZnO薄膜(4)上沉积第二SiO2薄膜(5)；
5) 在第二SiO2薄膜(5)上溅射半透明电极(6)，在硅衬底(1)背面溅射欧姆接触电极(7)，制得基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的第一SiO2薄膜(3)、第二SiO2薄膜(5)采用溶胶-凝胶法制得。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：分别将步骤1)沉积的第一ZnO薄膜(2)、步骤3)沉积的第二ZnO薄膜(4)进行热处理，所述热处理的温度为300～900℃，时间为0.5～5小时。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：分别将所述步骤2) 沉积的第一SiO2薄膜(3)、步骤4)沉积的第二SiO2薄膜(5)进行热处理，所述热处理的温度为300～700℃，时间为0.5～3小时。
10.权利要求1～5任一项所述的电抽运随机激光器在形成激光成像的光源中的应用。
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