[发明专利]一种带吸收回路的开关电源电路无效
申请号: | 201210489143.4 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN103840649A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 杨立斌 | 申请(专利权)人: | 西安威正电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/34 | 分类号: | H02M1/34 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 刘国智 |
地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸收 回路 开关电源 电路 | ||
技术领域
本发明涉及开关电源二极管管电压应力控制技术领域,特别涉及一种带吸收回路的开关电源电路。
背景技术
对于一般的开关电源典型电路而言,在二极管关闭和导通的瞬间,由于寄生电容的关系,会在二极管的两端产生高的电压尖峰,易造成MOS被击穿导致电路失效。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种带吸收回路的开关电源电路,通过RC组成吸收回路,减小MOS管的电压应力。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种带吸收回路的开关电源电路,其特征在于,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1初级线圈的另一端接MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,MOS管U1的漏极同时通过串联的电阻R1和电容C1接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管的阳极,功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地。
与现有技术相比,本发明由于增加吸收回路,会有效降低MOS管的漏压,保证了MOS的可靠性。本方案中的吸收回路由RC组成,其中C的耐压要高于二极管并留有一定裕量。
附图说明
附图为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行更详尽的说明。
如图所示,本发明为一种带吸收回路的开关电源电路,其特征在于,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1初级线圈的另一端接MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,MOS管U1的漏极同时通过串联的电阻R1和电容C1接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管的阳极,功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地。
本方案中的开关电源BUCK电源,其中的D1为功率二极管,由于MOS管U1的开关作用,电感电流跟随着开关进行变换,在电感电流突然变换的瞬间,T1上会产生极高的电压脉冲,导致MOS管在关断的瞬间承受的耐压很高,高电压产生的时候其电压会达到输入Vin的2倍以上,但其持续时间较短,RC吸收回路的存在,使得脉冲产生时,RC回路导通,将脉冲电压钳位在Vin的2倍左右,不至于损坏MOS管
对比原方案与本方案,原方案中,由于没有吸收回路的存在,T1产生的高电压脉冲,只能依靠MOS管的寄生电容来吸收,其吸收能力有限,电压会很高,没有固定在2倍Vin的大小,MOS管很容易损坏。本方案中C1的作用是并联在MOS管寄生电容上,电容增大后,对于高频的脉冲电流阻抗很低,将这部分的能量导入到GND,从而降低了MOS管的应力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安威正电子科技有限公司,未经西安威正电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210489143.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置