[发明专利]一种带吸收回路的开关电源电路无效

专利信息
申请号: 201210489143.4 申请日: 2012-11-26
公开(公告)号: CN103840649A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 杨立斌 申请(专利权)人: 西安威正电子科技有限公司
主分类号: H02M1/34 分类号: H02M1/34
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 刘国智
地址: 710077 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 吸收 回路 开关电源 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及开关电源二极管管电压应力控制技术领域,特别涉及一种带吸收回路的开关电源电路。

背景技术

对于一般的开关电源典型电路而言,在二极管关闭和导通的瞬间,由于寄生电容的关系,会在二极管的两端产生高的电压尖峰,易造成MOS被击穿导致电路失效。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种带吸收回路的开关电源电路,通过RC组成吸收回路,减小MOS管的电压应力。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种带吸收回路的开关电源电路,其特征在于,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1初级线圈的另一端接MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,MOS管U1的漏极同时通过串联的电阻R1和电容C1接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管的阳极,功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地。

与现有技术相比,本发明由于增加吸收回路,会有效降低MOS管的漏压,保证了MOS的可靠性。本方案中的吸收回路由RC组成,其中C的耐压要高于二极管并留有一定裕量。

附图说明

附图为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行更详尽的说明。

如图所示,本发明为一种带吸收回路的开关电源电路,其特征在于,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1初级线圈的另一端接MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,MOS管U1的漏极同时通过串联的电阻R1和电容C1接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管的阳极,功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地。

本方案中的开关电源BUCK电源,其中的D1为功率二极管,由于MOS管U1的开关作用,电感电流跟随着开关进行变换,在电感电流突然变换的瞬间,T1上会产生极高的电压脉冲,导致MOS管在关断的瞬间承受的耐压很高,高电压产生的时候其电压会达到输入Vin的2倍以上,但其持续时间较短,RC吸收回路的存在,使得脉冲产生时,RC回路导通,将脉冲电压钳位在Vin的2倍左右,不至于损坏MOS管

对比原方案与本方案,原方案中,由于没有吸收回路的存在,T1产生的高电压脉冲,只能依靠MOS管的寄生电容来吸收,其吸收能力有限,电压会很高,没有固定在2倍Vin的大小,MOS管很容易损坏。本方案中C1的作用是并联在MOS管寄生电容上,电容增大后,对于高频的脉冲电流阻抗很低,将这部分的能量导入到GND,从而降低了MOS管的应力。

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