[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)提供衬底(100)，所述衬底(100)包括第一方向和第二方向；

b)在所述衬底(100)上形成栅堆叠，所述栅堆叠依次包括第一绝缘层(110)和浮栅，其中沿着第二方向对栅堆叠向下刻蚀形成与第二方向平行的浮栅；

c)在所述第一方向对浮栅侧壁进行选择性生长或选择性刻蚀，使其侧面形成至少一个在第一方向上的凸起；

d)在浮栅上依次形成第二绝缘层(170)和控制栅(180)，所述第二绝缘层(170)和控制栅(180)在第一方向包裹住浮栅；

e)沿着第一方向对所述浮栅向下刻蚀使得平行的浮栅切断形成浮栅阵列，在第二方向对浮栅侧壁进行选择性刻蚀，使其侧面中部在第二方向上形成至少一个凹陷；

f)在每个浮栅第二方向上的两侧形成源/漏区(310)。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，在所述步骤b）中，在所述衬底(100)上淀积形成第一绝缘层（110）和浮栅层之后，还需在所述浮栅层之上淀积光刻胶，之后对第一绝缘层（110）和浮栅层进行图形化刻蚀，直至未被光刻胶覆盖的部分裸露出衬底（100）。

3.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其中在所述步骤b）中，所述浮栅的形成方法为：

在第一绝缘层（110）上依次淀积形成导电的至少第一至第三层材料层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构制造方法，其中：

在所述步骤c）中，对第二材料层的选择性刻蚀速率小于对第一和第三材料层的刻蚀速率，或者

仅仅对所述暴露第二材料层从侧面进行选择性生长。

5.根据权利要求3所述的半导体结构制造方法，其中：

在所述步骤e）中，对第二材料层的刻蚀速率大于对第一和第三材料层的刻蚀速率。

6.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其中：

所述浮栅侧壁在同一层面在第一方向上的凸起并且在第二方向凹陷。

7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的半导体结构制造方法，其中所述第一方向为字线方向，所述第二方向为位线方向。

8.一种半导体结构，包括：

衬底(100)，所述衬底（100）包括位线方向和字线方向；

栅堆叠，位于所述衬底(100)之上，所述栅堆叠由第一绝缘层（110）和浮栅、第二绝缘层（170）和控制栅（180）从下往上依次堆叠而成；

所述浮栅侧面在所述字线方向具有一个以上的凸起，在所述位线方向上具有一个以上的凹陷；

源/漏区(310)，在所述位线方向位于所述栅堆叠两侧的衬底(100)中。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述浮栅在第一绝缘层（110）上依次包括第一至第三层材料层；

在字线方向，所述第二材料层相对于第一和第三材料层形成凸起；

在位线方向，所述第二材料层相对于第一和第三材料层形成凹陷。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中：

所述浮栅侧壁在同一层面在第一方向上的凸起并且在第二方向凹陷。