[发明专利]晶体管特性图示仪高分辨测试装置

权利要求书

1.一种晶体管特性图示仪高分辨测试装置，其特征在于，包括被测件三极管Q1，三极管Q1的集电极依次串接串联电阻、集电极电源，集电极电源与三极管Q1的发射极之间设有容性电流补偿装置或取样回路高分辨率差放装置。

2.根据权利要求1所述的晶体管特性图示仪高分辨测试装置，其特征在于，容性电流补偿装置包括电流取样电阻R1、运算放大器U1、运算放大器U2、差放器U3、电容CA、电容CB、电阻R2、电阻R3、补偿电阻RL，电流取样电阻R1设置在集电极电源与三极管Q1的发射极之间，电流取样电阻R1的一端分别连接运算放大器U1的负输入端、补偿电阻RL，电流取样电阻R1的另一端连接差放器U3的负输入端，运算放大器U1的正输入端分别连接被测件三极管Q1的集电极、电容CA，运算放大器U1的输出端依次串接电容CB、电阻R3，电阻R3依次通过补偿电阻RL、电阻R2与差放器U3的正输入端连接，电容CA连接运算放大器U2的负输入端，运算放大器U2的输出端连接差放器U3的正输入端。

3.根据权利要求1所述的晶体管特性图示仪高分辨测试装置，其特征在于，取样回路高分辨率差放装置包括包括电流取样电阻R6、运算放大器N1、运算放大器N2、差放器N3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5，电流取样电阻R6设置在集电极电源与三极管Q1的发射极之间，电流取样电阻R6的Sc侧连接运算放大器N2的正输入端，电流取样电阻R6的Se侧连接运算放大器N1的正输入端，运算放大器N2的负输入端连接其输出端，运算放大器N2的输出端连接电阻R4，电阻R4连接差放器N3的负输入端，差放器N3的负输入端通过电阻R5与其输出端连接，运算放大器N1的负输入端连接其输出端，运算放大器N1的输出端连接电阻R2，电阻R2分别连接电阻R3、差放器N3的正输入端。