[发明专利]通过金属通孔槽减少OCD测量噪声

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；以及

互连结构，设置在所述衬底上方，

其中：

所述互连结构包括多个互连层；并且

所述互连层中的一层包含：

多个金属通孔槽；以及

块体金属元件，设置在所述多个金属通孔槽上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

每个金属通孔槽都具有沿着第一轴测量的第一水平尺寸和沿着不同于所述第一轴的第二轴测量的第二水平尺寸；以及

所述第一尺寸基本上大于所述第二尺寸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一轴垂直于所述第二轴；以及

所述第一尺寸比所述第二尺寸大多倍。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述块体金属元件具有沿着所述第一轴测量的第三水平尺寸和沿着所述第二轴测量的第四水平尺寸；

所述第三尺寸与所述第一尺寸的差在几个百分点以内；以及

所述第四尺寸比所述第二尺寸大多倍。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属通孔槽具有在约50％到约100％范围内的槽密度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属通孔槽和所述块体金属元件所在的互连层设置在另一个互连层和所述半导体器件的一层之间。

7.一种半导体结构，包括：

第一互连层，包括多个第一器件；

第二互连层，位于所述第一互连层上方，所述第二互连层包括多个伸长的通孔槽和位于多个所述通孔槽上方的块体元件，其中，所述通孔槽和所述块体元件均包含反光材料，并且每个通孔都具有第一水平尺寸和第二水平尺寸，在不同于所述第一水平尺寸的方向上测量所述第二水平尺寸并且所述第二水平尺寸基本上小于所述第一水平尺寸；以及

第三互连层，位于所述第二互连层上方，所述第三互连层包括多个第二器件，其中，所述第二器件包括金属沟槽。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述通孔槽和所述块体元件均包含金属并且互连在一起；

所述第一尺寸垂直于所述第二尺寸；

所述第二尺寸比所述第一尺寸小至少数倍；以及

在与所述第二尺寸相同的方向上测量的所述块体元件的尺寸比每个通孔槽的所述第二尺寸大至少多倍。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供晶圆；

形成第一层；以及

在所述第一层上方形成互连结构，

其中，形成所述互连结构包括：

在所述第一层上方形成第二互连层，所述第二互连层包含多个金属通孔槽和在所述多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件；以及

在所述第二互连层上方形成第三互连层，所述第三互连层包含一个或多个金属沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：执行光学临界尺寸(OCD)测量工艺，包括在晶圆上投射光。