[发明专利]电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器无效

专利信息
申请号: 201210487441.X 申请日: 2012-11-26
公开(公告)号: CN102963077A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 郑芳平;张迅;易伟华 申请(专利权)人: 江西沃格光电科技有限公司
主分类号: B32B17/06 分类号: B32B17/06;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06;G09F9/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 338004 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 电磁 屏蔽 面板 及其 制备 方法 显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及电磁屏蔽技术领域,特别是涉及一种电磁屏蔽面板及其制备方法和一种含有该电磁屏蔽面板的显示器。

背景技术

传统的电磁屏蔽面板包括玻璃基底及镀于玻璃基底表面上的一层ITO膜,这种电磁屏蔽面板具有一定的电磁屏蔽效果,但其透光效果较差,满足不了一些应用要求。例如,将传统的电磁屏蔽面板应用于液晶显示屏时,其透光效果和视觉效果皆较差;又例如,将传统的电磁屏蔽面板应用于飞机内部时,既要求电磁屏蔽面板具有较好的电磁屏蔽效果,同时还需要电磁屏蔽面板具有较高的透射率,只有这样才使飞行员很好地看到外面的场景,才能满足正常的飞行的需要。而且传统的电磁屏蔽面板中的ITO膜层裸露在外,长时间使用后,容易出现ITO膜层吸水或由于使用不当导致部分ITO膜层刮落,从而导致电磁屏蔽效果下降,进而缩短其使用寿命。

发明内容

基于此,有必要提供一种透射率高且使用寿命较长的电磁屏蔽面板及其制备方法。

一种电磁屏蔽面板,包括玻璃基底、设于所述玻璃基底表面上的ITO层及设于所述ITO层上的SiO2层,其中,所述ITO层的厚度为80~100nm,所述SiO2层的厚度为85~95nm。

由于ITO具有电阻率低,透明性好且折射率较高(一般为2.0左右)等优点,而SiO2的折射率较低(一般为1.5左右),因此,ITO层与SiO2层可以构成两层减反射膜系,在保证电磁屏蔽效果的同时还能获得较好的透光率;同时根据光的干涉原理、光的波动性特性以及电磁屏蔽的效果将ITO层的厚度设计为80~100nm,SiO2层的厚度设计为85~95nm。根据光的干涉原理及光的波动性特性可知,膜层的厚度只有在满足一定的光学厚度时,才能获得较佳的透光率;同时对于两层减反射膜系,既要考虑两层膜各自的膜的厚度,还要考虑二者的一个协同作用的膜的厚度;而且膜层的厚度对电磁屏蔽效果也有一定的影响。此外,ITO层外的SiO2层对ITO层能够起到很好的保护作用,从而使得上述电磁屏蔽面板具有相对较长的使用寿命。因此,上述电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果、高透射率以及相对较长的使用寿命。此外,通过测试传统的方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板和上述方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板的透射率,透射率分别80%和90%,因此上述设计的电磁屏蔽面板的透射率得到了较大的提高。

一种电磁屏蔽面板的制备方法,包括如下步骤:

使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜,在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层;

使用Si靶进行磁控溅射镀膜,在所述ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层。

在其中一个实施例中,所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜,在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜,其中气体氛围是流量为100~200sccm的氩气氛围。

在其中一个实施例中,所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜,在所述ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层的过程中,磁控溅射频率为40KHZ,气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围,其中Ar的流量为100~200sccm,O2的流量为80~120sccm。

上述电磁屏蔽面板的制备方法的制备工艺相对简单,制备得到的电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率。

此外,还有必要提供一种使用上述电磁屏蔽面板的显示器。

一种显示器,包括电磁屏蔽面板,所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底表面上的ITO层及设于所述ITO层上的SiO2层,其中,所述ITO层的厚度为80~100nm,所述SiO2层的厚度为85~95nm。

上述显示器由于使用了上述高透防电磁屏蔽的面板,其透光效果和视觉效果均得到提高。

附图说明

图1为一实施方式的电磁屏蔽面板的结构示意图。

具体实施方式

下面主要结合附图及具体实施方式对电磁屏蔽面板及其制备方法和应用作进一步详细的说明。

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