[发明专利]多循环快速热退火非晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种多循环快速热退火晶化非晶硅薄膜的方法，其特征在于其有以下的过程和步骤：

a)      使用普通玻璃载片作为衬底，分别用分析纯丙酮，酒精和去离子水对衬底进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁，烘干后放入等离子增强化学气相沉积反应室；

b)      采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在载玻片生长一层非晶硅a-Si薄膜，沉积时衬底的温度为150^oC～250^oC，沉积压强即真空度为1.lTorr，沉积薄膜厚度为200 nm～300nm；溅射功率为200W，射频频率为13.56MHz；气源为纯度为100%的硅烷，作为稀释硅烷使用的氢气纯度为5N；

c)      用氢氟酸来去除非晶硅薄膜表面的氧化层；将非晶硅薄膜放置于HF:H₂O=1:100的溶液中浸泡1-2min，取出用去离子水冲洗干净烘干，然后将非晶硅样品放置于快速热退火炉的石英支架上，推入石英腔内；

d)     升温从室温开始，以150-200^oC/s左右的升温速率快速提升温度，将薄膜表面升温至640^oC后再恒温一段时间，然后开始自然冷却；当薄膜温度冷却到达室温后，按同法再进行下一次升温，在整个退火过程中，通入氮气作为保护气体；

e)      按上法经过多次循环快速热退火，以达到晶化效果，最后制得多晶硅薄膜。