[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供一第一导电类型的第一多晶硅层于一基板上，其中该基板具有一第一有源区与一第二有源区；

对该第一多晶硅层的对应该第二有源区的部分进行一第一离子注入工艺，并采用一第二导电类型的掺杂物，其中该第二导电类型相反于该第一导电类型，且在该第一离子注入工艺中导入硅烷等离子体以形成一第二多晶硅层于该第一多晶硅层上，并将该第一多晶硅层的对应该第二有源区的部分的该第一导电类型转换成该第二导电类型；以及

图案化该第一多晶硅层与该第二多晶硅层以形成一对应该第一有源区的第一栅极层以及一对应该第二有源区的第二栅极层。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第二导电类型为P型，且该掺杂物包括硼、二氟化硼、三氟化硼、二硼烷、硼簇、或前述的组合。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第二导电类型为N型，且该掺杂物包括砷、磷、或前述的组合。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第一离子注入工艺是在20℃至80℃之间进行。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该基板为一硅基板。

6.如权利要求5所述的半导体元件的制作方法，还包括：

进行一第二离子注入工艺，以形成第一源极与漏极区于该硅基板中并分别位于该第一栅极层的两侧，且在该第二离子注入工艺中导入硅烷等离子体以形成一第三多晶硅层于该第一栅极层以及该第一源极与漏极区上。

7.如权利要求6所述的半导体元件的制作方法，其中位于该第一源极与漏极区上的该第三多晶硅层的一上表面大抵上齐平于该硅基板的一上表面。

8.如权利要求5所述的半导体元件的制作方法，还包括：

进行一第三离子注入工艺，以形成第二源极与漏极区于该硅基板中并分别位于该第二栅极层的两侧，且在该第三离子注入工艺中导入硅烷等离子体以形成一第四多晶硅层于该第二栅极层以及该第二源极与漏极区上。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，其中位于该第二源极与漏极区上的该第四多晶硅层的一上表面大抵上齐平于该硅基板的一上表面。

10.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第一栅极层与该第二栅极层具有大抵上相同的高度。

11.一种半导体元件，包括：

一基板，具有一第一有源区与一第二有源区；

一第一多晶硅层，形成于该基板上，该第一多晶硅层包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有第一导电类型且位置对应该第一有源区，该第二部分具有第二导电类型且位置对应该第二有源区，该第二导电类型相反于该第一导电类型，且该第二部分与该第一部分彼此分离；以及

一第二多晶硅层，位于该第一多晶硅层的该第二部分上，该第二多晶硅层具有第二导电类型，

其中，一第一栅极层是由该第一多晶硅层的该第一部分所构成，一第二栅极层是由该第一多晶硅层的该第二部分以及该第二多晶硅层所构成，其中该第一栅极层与该第二栅极层具有大抵上相同的高度。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二导电类型为P型，且该第二栅极层包括一掺杂物，该掺杂物包括硼、二氟化硼、三氟化硼、二硼烷、硼簇、或前述的组合。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二导电类型为N型，且该第二栅极层包括一掺杂物，该掺杂物包括砷、磷、或前述的组合。

14.如权利要求11所述的半导体元件，还包括：

一栅介电层，配置于该基板与该第一多晶硅层之间。

15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该基板为一硅基板。

16.如权利要求15所述的半导体元件，还包括：

第一源极与漏极区，位于该硅基板中，并分别位于该第一栅极层的两侧；以及

一第三多晶硅层，位于该第一栅极层与该第一源极与漏极区上。

17.如权利要求16所述的半导体元件，其中该第三多晶硅层的位于该第一源极与漏极区上的部分的一上表面大抵上齐平于该硅基板的一上表面。