[发明专利]一种镉离子表面印迹吸附材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210486758.1 申请日: 2012-11-27
公开(公告)号: CN102989429A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 高保娇;门吉英;王蕊欣;李延斌;雷青娟 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28;C02F1/62;C08J9/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 离子 表面 印迹 吸附 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种镉离子表面印迹吸附材料的制备方法,其特征在于:按照如下的方法制备:

步骤一、饱和吸附:将功能接枝微粒HQ-PHEMA/SiO2置于浓度为0.01 mol/L 的Cd2+离子水溶液,氢氧化钠溶液调节溶液体系的pH 值为5.5,置于恒温振荡器中,恒温振荡,滤出微粒,真空干燥,得到饱和吸附Cd2+离子的功能接枝微粒;

步骤二,交联印迹:将步骤一制备的饱和吸附Cd2+离子的功能接枝微粒置于含有Cd2+离子的水和乙醇混合溶剂中,用氢氧化钠溶液调节体系的 pH值,以二氯乙醚为交联剂,在温度为40℃-50℃条件下,二氯乙醚分子两端的氯烷基团与功能接枝微粒HQ-PHEMA/SiO2侧链上的喹啉N原子之间的季铵化进行反应20-26 h,形成交联印迹;

步骤三,模板洗脱:用盐酸溶液反复洗涤步骤二产物,以除去模板离子Cd2+离子,真空干燥,在功能接枝微粒的聚合物薄层中留下了大量的Cd2+离子印迹空穴,从而形成Cd2+离子表面印迹吸附材料。

2.根据权利要求1所述的一种镉离子表面印迹吸附材料的制备方法,其特征在于:步骤一中功能接枝微粒HQ-PHEMA/SiO2中的PHEMA接枝度为30%-40%,HQ的键合密度为1.75mmol/g-1.85mmol/g ,每5L的Cd2+离子水溶液中放入1g的功能接枝微粒HQ-PHEMA/SiO2 ,恒温振荡时间为4 h。

3.根据权利要求1所述的一种镉离子表面印迹吸附材料的制备方法,其特征在于:步骤二中水和乙醇的混合溶剂配制时水和乙醇的体积比为7:3,用氢氧化钠溶液调节体系的 pH值为4.5-5.5。

4.根据权利要求1所述的一种镉离子表面印迹吸附材料的制备方法,其特征在于:步骤三中用0.1 mol·L-1盐酸溶液反复洗涤产物微粒。

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