[发明专利]像素单元、显示装置以及缺陷修复方法有效

专利信息
申请号: 201210485693.9 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103839961B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 蔡韬 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 孟金喆
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 单元 显示装置 以及 缺陷 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种像素单元,由彼此交叉的扫描线和数据线围成,包括驱动电路和有机发光器件,所述驱动电路中包括薄膜晶体管和存储电容,其特征在于,为每个所述驱动电路中作为选通单元的薄膜晶体管布设了与其特性相反的薄膜晶体管;

所述作为选通单元的薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接,漏极与所述存储电容电连接,栅极与第一扫描线电连接;

所述布设的薄膜晶体管的源极与所述存储电容电连接,漏极与所述数据线电连接,栅极与第二扫描线电连接;

所述驱动电路出现故障时,隔离故障电路,并通过所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述有机发光器件;或者,作为选通单元的薄膜晶体管发生故障时,切断故障的薄膜晶体管与所述存储电容的连接线路,并通过所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述有机发光器件。

2.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述布设的薄膜晶体管与作为选通单元的薄膜晶体管同时驱动所述有机发光器件。

3.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述驱动电路中作为选通单元的薄膜晶体管的栅极与所述布设的薄膜晶体管的栅极通过反相器连接。

4.如权利要求3所述的像素单元,其特征在于,作为选通单元的薄膜晶体管与所述布设的薄膜晶体管共用一条扫描线。

5.如权利要求1所述像素单元,其特征在于,所述作为选通单元的薄膜晶体管为N型薄膜晶体管时,所述布设的薄膜晶体管为P型薄膜晶体管;所述作为选通单元的薄膜晶体管为P型薄膜晶体管时,所述布设的薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一所述的像素单元。

7.一种如权利要求1所述像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,该方法包括:

隔离故障电路或者切断故障的作为选通单元的薄膜晶体管与存储电容的连接线路;

通过所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述像素单元。

8.如权利要求7所述的像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,所述像素单元还包括反相器,所述反相器的两端分别连接所述作为选通单元的薄膜晶体管的栅极和所述布设的薄膜晶体管的栅极;

通过所述反相器启动所述布设的薄膜晶体管,隔离故障电路或者切断故障的所述作为选通单元的薄膜晶体管与存储电容的连接线路后,用所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述像素单元。

9.如权利要求7或8所述的像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,所述隔离故障电路包括:切断包含所述作为选通单元的薄膜晶体管在内的故障驱动电路与外部线路的连接。

10.如权利要求7或8所述的像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,所述切断故障的作为选通单元的薄膜晶体管与存储电容之间的连接线路包括:在所述作为选通单元的薄膜晶体管漏电、失效、或者非正常开启时,切断所述作为选通单元的薄膜晶体管与所述存储电容之间的连接线路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210485693.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top