[发明专利]像素单元、显示装置以及缺陷修复方法有效
| 申请号: | 201210485693.9 | 申请日: | 2012-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN103839961B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
| 发明(设计)人: | 蔡韬 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 单元 显示装置 以及 缺陷 修复 方法 | ||
1.一种像素单元,由彼此交叉的扫描线和数据线围成,包括驱动电路和有机发光器件,所述驱动电路中包括薄膜晶体管和存储电容,其特征在于,为每个所述驱动电路中作为选通单元的薄膜晶体管布设了与其特性相反的薄膜晶体管;
所述作为选通单元的薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接,漏极与所述存储电容电连接,栅极与第一扫描线电连接;
所述布设的薄膜晶体管的源极与所述存储电容电连接,漏极与所述数据线电连接,栅极与第二扫描线电连接;
所述驱动电路出现故障时,隔离故障电路,并通过所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述有机发光器件;或者,作为选通单元的薄膜晶体管发生故障时,切断故障的薄膜晶体管与所述存储电容的连接线路,并通过所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述有机发光器件。
2.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述布设的薄膜晶体管与作为选通单元的薄膜晶体管同时驱动所述有机发光器件。
3.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述驱动电路中作为选通单元的薄膜晶体管的栅极与所述布设的薄膜晶体管的栅极通过反相器连接。
4.如权利要求3所述的像素单元,其特征在于,作为选通单元的薄膜晶体管与所述布设的薄膜晶体管共用一条扫描线。
5.如权利要求1所述像素单元,其特征在于,所述作为选通单元的薄膜晶体管为N型薄膜晶体管时,所述布设的薄膜晶体管为P型薄膜晶体管;所述作为选通单元的薄膜晶体管为P型薄膜晶体管时,所述布设的薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一所述的像素单元。
7.一种如权利要求1所述像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,该方法包括:
隔离故障电路或者切断故障的作为选通单元的薄膜晶体管与存储电容的连接线路;
通过所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述像素单元。
8.如权利要求7所述的像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,所述像素单元还包括反相器,所述反相器的两端分别连接所述作为选通单元的薄膜晶体管的栅极和所述布设的薄膜晶体管的栅极;
通过所述反相器启动所述布设的薄膜晶体管,隔离故障电路或者切断故障的所述作为选通单元的薄膜晶体管与存储电容的连接线路后,用所述布设的薄膜晶体管继续驱动所述像素单元。
9.如权利要求7或8所述的像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,所述隔离故障电路包括:切断包含所述作为选通单元的薄膜晶体管在内的故障驱动电路与外部线路的连接。
10.如权利要求7或8所述的像素单元的缺陷修复方法,其特征在于,所述切断故障的作为选通单元的薄膜晶体管与存储电容之间的连接线路包括:在所述作为选通单元的薄膜晶体管漏电、失效、或者非正常开启时,切断所述作为选通单元的薄膜晶体管与所述存储电容之间的连接线路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





