[发明专利]相偏移光罩的缺陷处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种相偏移光罩的缺陷处理方法。

背景技术

在半导体制程中，为了将所设计的电路转换成器件，必须要将图案形成在光罩上，之后通过光刻工艺将之形成在芯片上。对于一些电路图较细微的设计而言，必须要提高光罩上的分辨率，从而使得图案能够准确无误的转移到芯片上，才能够方便后续制程顺利的进行。

目前，业内常用的方法为采用相偏移光罩（Phase Shift Mask，PSM），来提高分辨率。现有的相偏移光罩在制作过程中首先提供一石英基板，所述石英基板上形成有相移层，所述相移层上形成有铬（Cr）层，并在铬层上涂敷光刻胶，形成电路图案，之后经过刻蚀工艺形成光罩的图案区。在此过程中，位于图案区的铬是需要去除，而图案区周围的铬必须保留。但是在去除铬的步骤中，很容易去除不完全，形成残留缺陷，这对图案区有可能产生较大的影响，乃至于使得光罩不达标。

请参考图1所示，其为现有工艺处理相偏移光罩的铬残留缺陷的流程图，现有工艺中对缺陷（铬残留缺陷）进行处理的方法主要包括：

步骤S101，测量待处理相偏移光罩的相位和穿透度；

步骤S102，对所述相偏移光罩进行清洗（short clean），这里主要采用的是硫酸，双氧水和氨水混合物或臭氧；

步骤S103，对所述相偏移光罩进行涂敷光阻、曝光和显影，从而确定出要处理的区域；

步骤S104，刻蚀显影后的相偏移光罩，即对缺陷进行处理；

步骤S105，刻蚀后对所述相偏移光罩进行清洗（strip），以去除刻蚀后的缺陷、残留物等；

步骤S106，对所述相偏移光罩进行镜检；

步骤S107，采用透反射光检测所述相偏移光罩，步骤S106和步骤S107是检测缺陷是否处理到可接受范围；

步骤S108，再次测量所述相偏移光罩的相位和穿透度，从而判断上述处理后相偏移光罩的相位和穿透度是否达标。

很显然，这是一个非常漫长的过程，在实际操作中，仅处理相偏移光罩的铬残留缺陷就需要至少20小时，那么也就意味着生产周期至少被延长20小时。

诚然，这是不可避免的一道工序，但是并非所有的相偏移光罩的缺陷都很多，比如一块相偏移光罩在铬去除后仅残留一个较大的缺陷，而这却要花费20小时来进行处理，是很不划算的。因此，若对于缺陷数量少，颗粒大的情况，能否改善现有处理流程，对提高光罩的生产效率具有重大的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种相偏移光罩的缺陷处理方法，以解决现有工艺流程繁琐、耗时长的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种相偏移光罩的缺陷处理方法，包括：

提供待处理的相偏移光罩；

对所述相偏移光罩进行刻蚀；

对所述相偏移光罩进行第一次清洗；及

对所述相偏移光罩进行第二次清洗。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，通过对准设备找到缺陷之前，还包括如下工艺步骤：

采用保护模块保护所述相偏移光罩的外围区域。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述保护模块为塑料薄膜、塑料护垫或无尘布以及其他物品可防止蚀刻液渗进或滴落在外围Cr区域。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述相偏移光罩的缺陷数量小于等于5颗。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述缺陷的尺寸大于等于1μm。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述缺陷与所述相偏移光罩周围的铬间距大于等于2000μm。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述刻蚀为将刻蚀液滴于所述缺陷上。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述刻蚀液为硝酸铈铵、高氯酸、硝酸及乙酸的混合水溶液。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述第一次清洗为纯净水清洗。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述纯净水清洗为将所述相偏移光罩置于载台上，使用喷嘴喷射纯净水进行清洗。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，所述第二次清洗为采用硫酸，双氧水和氨水混合物或臭氧进行清洗。

可选的，对于所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，对所述相偏移光罩进行第二次清洗后，还包括如下步骤：

对所述相偏移光罩进行镜检；

对所述相偏移光罩进行光的透反射检测；

检测所述相偏移光罩的相位和穿透度。