[发明专利]外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔有效
| 申请号： | 201210484714.5 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102938369A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 严利人;刘志弘;周卫;张伟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 预处理 方法 以及 工艺 | ||
1.一种外延生长预处理方法，其特征在于，所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底表面，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；
其中，所述衬底位于还原性气体中。
2.根据权利要求1所述的外延生长预处理方法，其特征在于，所述外延生长预处理方法包括以下具体步骤：
步骤1：将衬底置于工艺腔体内；
步骤2：对所述工艺腔体抽真空；
步骤3：向工艺腔体充入还原性气体；
步骤4：激光照射衬底。
3.根据权利要求2所述的外延生长预处理方法，其特征在于，所述工艺腔体充入还原性气体后形成的还原气压小于大气压。
4.根据权利要求3所述的外延生长预处理方法，其特征在于，所述还原气压大小为0.5-0.9个标准大气压。
5.根据权利要求1-4任一所述的外延生长预处理方法，其特征在于，所述激光的波长为248nm-1um。
6.根据权利要求1-4任一所述的外延生长预处理方法，其特征在于，所述激光的光斑大小为1平方毫米至1平方厘米；所述激光的功率为10W-100W。
7.一种外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口以及出气口，其特征在于，所述外延生长预处理工艺腔还包括一个用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。
8.根据权利要求7所述的外延生长预处理工艺腔，其特征在于，所述激光装置包括依次连接的激光发射器、能摆动的导光臂以及导光臂驱动。
9.根据权利要求8所述的外延生长预处理工艺腔，其特征在于，所述导光臂位于所述工艺腔体的外；所述工艺腔体上设有用于激光射入的透明窗。
10.根据权利要求8所述的外延生长预处理工艺腔，其特征在于，所述激光发射器位于所述工艺腔体的外侧，所述导光臂部分位于所述工艺腔体内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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