[发明专利]存储元件和存储设备

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

分层结构，其包括：

存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在所述分层结构的层压方向上施加电流来改变所述磁化方向以将信息记录在所述存储层中，所述存储层包括：

第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，

键合层，其层压在所述第一铁磁层上，以及

第二铁磁层，其层压在所述键合层上，并经由所述键合层与所述第一铁磁层键合，所述第二铁磁层具有倾斜于与所述膜表面垂直的方向的磁化方向，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个铁磁层是主要发生面内磁化的面内磁化层，另一铁磁层是主要发生垂直磁化的垂直磁化层；

磁化固定层，其具有固定的磁化方向；

中间层，其被配置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并与所述第一铁磁层接触；以及

覆盖层，其与所述第二铁磁层接触。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述第一铁磁层是面内磁化层，以及所述第二铁磁层是垂直磁化层。

3.根据权利要求2所述的存储元件，其中，

由所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度大于由所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述第一铁磁层是垂直磁化层，以及所述第二铁磁层是面内磁化层。

5.根据权利要求4所述的存储元件，其中，

由所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度小于由所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度。

6.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述中间层是隧道绝缘层。

7.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述覆盖层包括氧化物层。

8.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层包括Co-Fe-B层。

9.一种存储设备，包括：

存储元件，具有：

分层结构，其包括：

存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在所述分层结构的层压方向上施加电流来改变所述磁化方向以将信息记录在所述存储层中，所述存储层包括：

第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，

键合层，其层压在所述第一铁磁层上，以及

第二铁磁层，其层压在所述键合层上，并经由所述键合层与所述第一铁磁层键合，所述第二铁磁层具有倾斜于与所述膜表面垂直的方向的磁化方向，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个铁磁层是主要发生面内磁化的面内磁化层，另一铁磁层是主要发生垂直磁化的垂直磁化层；

磁化固定层，其具有固定的磁化方向；

中间层，其被配置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并与所述第一铁磁层接触；以及

覆盖层，其与所述第二铁磁层接触；

互连部，其将在所述层压方向上流动的电流提供给所述存储元件；以及

电流供应控制器，其控制经由所述互连部向所述存储元件的电流供应。

10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，

所述第一铁磁层是面内磁化层，以及所述第二铁磁层是垂直磁化层。