[发明专利]放大电路及其制造方法、摄像元件和电子设备

权利要求书

1.一种固体摄像元件，其包括：

光电转换部，所述光电转换部用于产生与所接收的光对应的电荷；以及

多个有源元件，各所述有源元件用于对所述光电转换部中产生的所述电荷进行预定操作，

其中，至少一个所述有源元件中的栅极电极具有形成在基板上的主体部分和埋入在所述基板中的突出部分，在所述基板中形成有所述光电转换部。

2.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述至少一个有源元件是放大晶体管，所述放大晶体管用于放大和输出所述光电转换部中产生的所述电荷。

3.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述至少一个有源元件是选择晶体管，所述选择晶体管用于将像素信号设定成能够被输出的状态，所述像素信号是通过放大晶体管放大所述光电转换部中产生的所述电荷而获得的。

4.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述至少一个有源元件是传输晶体管，所述传输晶体管用于将所述光电转换部中产生的所述电荷传输到浮动扩散区域。

5.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述至少一个有源元件是复位晶体管，所述复位晶体管用于复位浮动扩散区域的电位。

6.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述至少一个有源元件是放大晶体管、选择晶体管、复位晶体管、传输晶体管的任意组合。

7.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，沿着所述栅极电极的所述主体部分的底表面以及所述栅极电极的所述突出部分的底表面和侧表面形成有沟道区域。

8.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，沿着所述栅极电极的所述主体部分的底表面以及所述栅极电极的所述突出部分的侧表面形成有沟道区域。

9.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分沿着所述有源元件的长度方向形成。

10.如权利要求9所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分形成在所述有源元件的宽度方向的大致中心处。

11.如权利要求9所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分形成在所述有源元件的宽度方向的两端的附近处。

12.如权利要求9所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分形成在所述有源元件的宽度方向的大致中心处以及所述有源元件的宽度方向的两端的附近处。

13.如权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分沿着所述有源元件的宽度方向形成。

14.如权利要求13所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分形成在所述有源元件的长度方向的大致中心处。

15.如权利要求13所述的固体摄像元件，其中，所述栅极电极的所述突出部分形成在所述有源元件的长度方向的两端的附近处。

16.一种电子设备，其包括权利要求1至15中任一项所述的固体摄像元件。

17.一种放大电路，其包括：

第一类型的杂质区域，其形成在半导体基板的表面硅层中，所述半导体基板具有形成在所述半导体基板的硅基板层和所述表面硅层之间的绝缘膜，所述第一类型的杂质区域从所述表面硅层的表面形成到所述绝缘膜；

电极，其形成在所述半导体基板的表面侧上；

电独立的第二类型的杂质区域，其由所述绝缘膜和两个位置处的所述第一类型的杂质区域包围着；以及

连接部，其用于将所述第二类型的杂质区域连接到所述第一类型的杂质区域和所述电极中的一者。

18.一种制造放大电路的方法，所述方法包括：

在半导体基板的表面硅层中形成第一类型的杂质区域，所述半导体基板具有形成在所述半导体基板的硅基板层和所述表面硅层之间的绝缘膜，所述第一类型的杂质区域从所述表面硅层的表面形成到所述绝缘膜；

在所述半导体基板的表面侧上形成电极；以及

将电独立的第二类型的杂质区域连接到所述第一类型的杂质区域和所述电极中的一者，所述第二类型的杂质区域由所述绝缘膜和两个位置处的所述第一类型的杂质包围着。